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　　美光公司在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售产品进(jìn)行了网络安全(quán)审查。

　　审查发(fā)现(xiàn)，美光公司产品存在较(jiào)严重网络安全(quán)问题隐患，对我(wǒ)国(guó)关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链(liàn)造成重大(dà)安全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作出不予通过网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安全法》等法律法规，我(wǒ)国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产(chǎn)品网络安全问题危害(hài)国家(jiā)关键信息基础设施安(ān)全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问(wèn)题隐患造成网络安全风险，维护国家(jiā)安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和(hé)国(guó)网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安全(quán)审查(chá)办公室按照《网络安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的(de)产品(pǐn)实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美(měi)国的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年(nián)收入来自(zì)中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份(fèn)额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三(s2022年中本贯通上海有哪些学校，中本贯通上海有哪些学校分数ān)大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下(xià)游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长(zhǎng)期合(hé)约(yuē)，确保存(cún)储晶圆供(gōng)应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市(shì)场(chǎng)的供应优势，公司也(yě)与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中(zhōng)国区销(xiāo)售受到限(xià2022年中本贯通上海有哪些学校，中本贯通上海有哪些学校分数n)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等(děng)竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或(huò)从中受(shòu)益。2022年中本贯通上海有哪些学校，中本贯通上海有哪些学校分数>存(cún)储器的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜(mó)成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿(yán)要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄(báo)膜(mó)沉(chén)积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资(zī)本开支合(hé)计为75％。自长(zhǎng)江存(cún)储被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备(bèi)国产化进程(chéng)加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务占比较(jiào)高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长(zhǎng)。