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　　美(měi)光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未(wèi)通(tōng)过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信(xìn)办消息，日前(qián)，网络(luò)安(ān)全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络(luò)安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患(huàn)，对我(wǒ)国关键信息基(jī)础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公室(shì)依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的(de)运营(yíng)者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网络(luò)安全审查(chá)，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问(wèn)题危害国(guó)家关(guān)键信息基础设施安全，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平(píng)对外开放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律法规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台产品服(fú)务进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网信网(wǎng)发文称，为保障关键信息基(jī)础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风(fēng)险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头之(zhī)一，2022年收入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至(zhì)2022年(nián)约11％。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海(hǎi)力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过(guò)美光等国际存人类的菊花能扩大到多少，人类的菊花是什么储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大(dà)存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购(gòu)约31亿(yì)元(yuán)，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应(yīng)商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶(jīng)圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券(quàn)商(shāng)此前就分析，如果(guǒ)美光(guāng)在(zài)中国区(qū)销售受到限制，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国(guó)外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士(shì)，国(guó)内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从(cóng)中受(shòu)益(yì)。存(cún)储器(qì)的(de)生产已(yǐ)经演(y人类的菊花能扩大到多少，人类的菊花是什么ǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过(guò)薄(báo)膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份(fèn)额(é)提升(shēng)，以及(jí)存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗(xǐ)）等收入增长。

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