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　　美光公司在华销售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严(yán)重网(wǎng)络安全问题隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通过网络安(ān)全(quán)审查的结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规(guī)，我国内(nèi)关(guān)键(jiàn)信息基础设施的运营(yíng)者应停止采购(gòu)美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目的是防(fáng)范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关键信息(xī)基础设施(shī)安全(quán)，是维护国家安全的必(bì)要措施(shī)。中国坚(jiān)定(dìng)推进高水平对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业(yè)、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市(shì)场。

　　3月31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络(luò)安全风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人(rén)民共和国网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全(quán)审查办法(fǎ)》，对(duì)美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美(měi)国的存(cún)储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从此前(qián)高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露过(guò)美(měi)光(guāng)等国际存储厂商为公司供应(yīng)商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少(shǎo)已经不是主要大供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供应商，采购约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大、第二大和(hé)第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙(lóng)已经在存储产业链上(shà真正想离婚的女人会拖着吗，女人拖着不离婚也不联系心态ng)下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等(děng)主要存储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合(hé)约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性(xìng)，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券商此前就分析，如果美光在中国区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内(nèi)长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时刻(kè)蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设(shè)备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入(rù)增长。

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