大家好，来看一则突(tū)发消息。

　　美光(guāng)公司在华(huá)销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bàn)消(xiāo)息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安(ān)全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司(sī)产品存在较严重网络(luò)安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息基(jī)础设施供应链造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影(yǐng)响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查(chá)的结论。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我国(guó)内关键(jiàn)信息基础设施的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络(luò)安(ān)全(quán)审查(chá)，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是(shì)维护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律(lǜ)法规要求，欢迎(yíng)各国企业、各类平台产品服务进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链安全，防范产品问题(tí)隐患造成网络安全风险，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中(zhōng)华人民(mín)共和国网(wǎng)络安全(quán)法》，网络安(ān)全审查办公(gōng)室按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全审(shěn)查。

　　美(měi)光是美(měi)国的存储芯片行业龙(lóng)头(tóu)，也是全(quán)球存(cún)储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份(fèn)额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公司(sī)供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已(yǐ)经(jīng)不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美光、西部数据等(děng)主要(yào)存(cún)储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储(chǔ)晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国区(qū)销售受到限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国(guó)外三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生(shēng)产已经演进(jìn)到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线(xiàn)资本开支(zhī)合(hé)计(jì)为75％。自(zì)长江存储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单(dān)，设备国(guó)产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好(hǎo)天女散花的姿势是怎样的，男女之间天女散花是什么意思拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务占比较高的华(huá)海(hǎi)清(qīng)天女散花的姿势是怎样的，男女之间天女散花是什么意思科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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