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　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在华(huá)销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存(cún)在较(jiào)严重(zhòng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按(àn)照《网络安(ān)全法》等法律法规(guī)，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安(ān)全审(shěn)查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络(luò)安全问题危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进(jìn)高水平对(duì)外开(kāi)放，只要遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企业(yè)、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共(gòng)和国国(guó)家安全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网络(luò)安全审(shěn)查(chá)办公室按照《网(wǎng)络安(ān)全审查办法》，对美(měi)光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美国(guó)的(de)存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头，也是全球存储芯片(piàn)巨头(tóu)之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三(sān)星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波(bō)龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披(pī)露过(guò)美光等国际存储厂(chǎng)商为公(gōng)司供(gōng)应商。

　　美光在江波(bō)龙采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不是主要(yào)大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已(yǐ)经在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制，或(huò)将导致下游客户转(zhuǎn)而(ér)采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄(báo)膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江存(cún)储(chǔ)被加入美国限(xiàn)制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP华大基因有国家背景吗）、盛美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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