大家好(hǎo)，来看一则(zé)突发消(xiāo)息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品(pǐn)进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查(chá)发现，美光公司(sī)产品存在较严(yán)重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法2022年非诚勿扰官网报名方式，相亲节目报名入口规，我国内(nèi)关(guān)键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审(shěn)查(chá)，目(mù)的(de)是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国市场。

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　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文称，为保(bǎo)障(zhàng)关键信息基础设施供应链(liàn)安全，防(fáng)范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共和国国家安全法》《中华人民(mín)共和国网(wǎng)络安(ān)全(quán)法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙(lóng)头，也是全球(qiú)存储芯片(piàn)巨(jù)头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入(rù)从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电(diàn)子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中(zhōng)，江波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光(guāng)等国际(jì)存(cún)储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大(dà)供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产(chǎn)存储晶圆原(yuán)厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良(liáng)好的(de)合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国(guó)区销售受到限制，或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关(guān)键、最大(dà)量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东(dōng)京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化进程(chéng)加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等(děng)收入(rù)增长。

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