大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光公司在华(huá)销售产品(pǐn)进行了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现(xiàn)，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为此(cǐ)，网络安全审查办公室依(yī)法作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停止采(cǎi)购美(měi)光公司(sī)产品。

　　此次对美光公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全(quán)审查，目(mù)的(de)是防(fáng)范产品网络(luò)安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安全，是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国企业、各类平(píng)台(tái)产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基础设(shè)施供应链安全，防范产(chǎn)品问(wèn)题隐患造成(chéng)网络安全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民共(gòng)和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全(quán)法(fǎ)》，网络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)按(àn)照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安全审查。

　　美光是美(měi)国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年(nián)收入来自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士(马云看未来商铺的前景shì)、美(měi)光(guāng)在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰(bǎi)维(wéi)存储等(děng)公(gōng)司披露(lù)过美(měi)光(guāng)等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙(lóng)采购占(zhàn)比已经显著下降，至少已经不是主要大供(gōng)应(yīng)商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应(yīng)商，采(cǎi)购约(yuē)31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三大供应商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存(cún)储产业链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场(chǎng)的供应优势，公司(sī)也马云看未来商铺的前景与国内国产存储(chǔ)晶(jīng)圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如(rú)果(guǒ)美光在中国区销售马云看未来商铺的前景受到限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三(sān)星、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫(xīn)存储等竞对(duì)产(chǎn)品

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为(wèi)最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步(bù)骤，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更深的孔或(huò)者沟(gōu)槽，催生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美国限制名单，设备国产(chǎn)化(huà)进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公(gōng)司(sī)份额提升，以(yǐ)及存(cún)储业(yè)务占(zhàn)比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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