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  大(dà)家好,来看一(yī)则突(tū)发消息。

杨亿巧对中杨大年对的对子好在哪里,杨亿巧对中会杨大年适来白事是什么意思>  美光公司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安(ān)全审查

  据网信办消(xiāo)息,日前,网络安全审查办公室杨亿巧对中杨大年对的对子好在哪里,杨亿巧对中会杨大年适来白事是什么意思依法对美(měi)光公(gōng)司在华销售产品进行了网络(luò)安全审查。

  审(shěn)查发(fā)现,美(měi)光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网络安全问(wèn)题隐患(huàn),对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链造成(chéng)重大安全风险,影响我(wǒ)国国(guó)家(jiā)安(ān)全(quán)。为此,网络安全审查办公室依法作出不予通过网络安全审查的结(jié)论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法(fǎ)规,我国内关键信息(xī)基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

  此次对美(měi)光公(gōng)司产品进行(xíng)网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查,目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施(shī)安全(quán),是维护国家安全(quán)的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放,只要遵守中国法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中国(guó)市场。

  半导体突发!中国出手:停(tíng)止采购!

  3月31日,中国(guó)网信网发文称,为保(bǎo)障关(guān)键信息基础设施供应链安全(quán),防范(fàn)产品问题(tí)隐患(huàn)造成网络安全风险,维护国家安全,依据《中华人民共(gòng)和国国家安全法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络(luò)安全法(fǎ)》,网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审(shěn)查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  美(měi)光是(shì)美国的(de)存储芯片行(xíng)业(yè)龙头(tóu),也是全(quán)球存储芯片巨头之一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此(cǐ)前高峰57%降至2022年约11%。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年(nián)三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约(yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市场份(fèn)额约为 94.35%。

  A股上市公司中,江波(bō)龙、佰维(wéi)存储等公(gōng)司披(pī)露过美光等(děng)国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美(měi)光在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng),至(zhì)少已经不是主要大供(gōng)应商。

  公告显示(shì), 2021年(nián)美光位列江波(bō)龙第一大(dà)存储晶圆供应商,采购约(yuē)31亿(yì)元,占比33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二大(dà)和第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额占(zhàn)比(bǐ)分别(bié)是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产业(yè)链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三星(xīng)、美(měi)光、西部(bù)数(shù)据等主要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了(le)长期(qī)合约,确(què)保(bǎo)存储(chǔ)晶(jīng)圆供应的稳定性(xìng),巩固公司在下游市(shì)场的供应优势,公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合作。

  有券商此前就(jiù)分(fēn)析,如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì),或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士(shì),国内(nèi)长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对产品

  分析称,长(zhǎng)存、长鑫的(de)上游(yóu)设(shè)备(bèi)厂或从中受(shòu)益。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代(dài),2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工设备(bèi)。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前(qián)沿(yán)要刻到 60:1的(de)深孔,未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽,催生更多设备需(xū)求。据东(dōng)京(jīng)电子(zi)披露,薄膜(mó)沉(chén)积(jī)设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75%。自长江存储(chǔ)被加入美国限制名单,设备国产化进程加速,看好拓荆科技(jì)(薄(báo)膜沉积)等相关公(gōng)司份额提升,以及存(cún)储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清洗)等(děng)收入增长。

 

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