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为什么不宣传李兰娟了,李兰娟为何销声匿迹

为什么不宣传李兰娟了,李兰娟为何销声匿迹 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看一则突(tū)发消息。

  美光(guāng)公司在华销售的(de)产品(pǐn)未通过网络安全(quán)审查

  据网信办消息,日(rì)前(qián),网络安全(quán)审查办(bàn)公室依法对美光(guāng)公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

  审(shěn)查发现,美光(guāng)公司(sī)产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题(tí)隐患,对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施(shī)供应链造成重大(dà)安全风险,影响我国国家安全。为此,网(wǎng)络安全审查(chá)办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全(quán)法》等(děng)法律法规(guī),我国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施的运营者应停(tíng)止(zhǐ)采购美光公司产品。

  此次对美光公司产品进行网(wǎng)络安全(quán)审查,目的(de)是(shì)防(fáng)范产品网(wǎng)络(luò)安全问题危害(hài)国家关键信息基础(chǔ)设施(shī)安全,是维护国(guó)家安全的必要措施。中国坚定推(tuī)进高水平对外开放,只要遵守中国法律(lǜ)法规要(yào)求,欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

  半导(dǎo)体(tǐ)突发!中国出(chū)手:停止(zhǐ)采购(gòu)!

  3月31日(rì),中(zhōng)国网信网发文称,为(wèi)保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全,防范产品问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险,维(wéi)护国家安全,依据(jù)《中华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全法》,网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按照《网络安全审查办法》,对美光公司(Micron)在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施(shī)网络安全审(shěn)查。

  半导体突发!中国出手:停止采购(gòu)!为什么不宣传李兰娟了,李兰娟为何销声匿迹>

  美光是美国的存储芯片行(xíng)业龙(lóng)头,也(yě)是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一,2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高(gāo)峰57%降至2022年约11%。根据市场咨询机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76%,三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司(sī)中,江波(bō)龙(lóng)、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商为公司供应商(shāng)。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下(xià)降(jiàng),至少已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

  公告显示, 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供(gōng)应商,采购约(yuē)31亿元(yuán),占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三大供应商采购金额占(zhàn)比(bǐ)分(fēn)别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显示,江波龙与三(sān)星、美光、西部数据(jù)等主要存储晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期合(hé)约,确保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性,巩固(gù)公司在下游市(shì)场(chǎng)的(de)供应优(yōu)势,公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好的合作(zuò)。

  有券商此前就分(fēn)析,如果美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì),或将(jiāng)导致下(xià)游客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力(lì)士,国内长江存储、长(zhǎng)鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现(xiàn)在已经(jīng)进入3D NAND时代,2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的(de)加工(gōng)设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要(yào)经过薄膜(mó)沉积工艺步骤,同(tóng)时刻蚀目前前沿要刻到 为什么不宣传李兰娟了,李兰娟为何销声匿迹60:1的深孔,未来可能会更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo),催(cuī)生更多设(shè)备需求。据东(dōng)京电子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计为(wèi)75%。自长江存储(chǔ)被(bèi)加入美国限制(zhì)名单,设备(bèi)国产化进程(chéng)加(jiā)速,看好拓(tuò)荆科技(薄(báo)膜(mó)沉积)等相关公司(sī)份(fèn)额提(tí)升(shēng),以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)(CMP)、盛美上海(hǎi)(清洗)等收(shōu)入(rù)增长(zhǎng)。

 

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