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　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过(guò)网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法对(duì)美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐(yǐn)患，对我国(guó)关(guān)键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影(yǐng)响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审查(chá)的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设施(shī)的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查，目的(de)是防范产(chǎn)品网络安全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù酒红色是哪几个颜色调出来的)国家安(ān)全的(de)必(bì)要措施。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外开放，只要(yào)遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供(gōng)应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全(quán)法》，网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华(huá)销售的产品实(shí)施网络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存(cún)储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存(cún)储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露(lù)过美光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶(jīng)圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商(shāng)采购金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游(yóu)建立国(guó)内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部数据等主要(yào)存(cún)储晶圆(yuán)原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市(shì)场的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆原(yuán)厂(chǎng)武汉长江存储酒红色是哪几个颜色调出来的(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果(guǒ)美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂(chǎng)或从(cóng)中受益。存(cún)储器的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻蚀(shí)和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需求。据东京电子(zi)披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备(bèi)国产化(huà)进程(chéng)加速，看(kàn)好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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