大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未(wèi)通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查(chá)办公室依法对(duì)美光公司在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网络安(ān)全审(shěn)查。

　　审查发现(xiàn)，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络(luò)安全问(wèn)题隐患，对我(wǒ)国关键信息基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照(zhào)《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键信息基(jī)础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止采购美光公司(sī)产品。

　　此次(cì)对美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全(quán)问题危(wēi)害国家关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网(wǎng)信网(wǎng)发文称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护(hù)国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室按(àn)照《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在(zài)华(huá)销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存储芯片(piàn)行业(yè)龙头，也是全球存储(c字母圈什么意思 字母圈都是怎么找到的hǔ)芯片(piàn)巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前(qián)高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美(měi)光在全球(qiú) DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光等国际存储厂商为公(gōng)司供应商。

　　美(měi)光在江波(bō)龙采购占比已经显著下(xià)降，至少(shǎo)已(yǐ)经不是主要大(dà)供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大和第三大供应(yīng)商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游(yóu)建立国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定(dìng)性，巩固公司在下游市(shì)场的供应优势，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　分析称，长存(cún)、长(zhǎng)鑫的上游设备厂或从(cóng)中受(shòu)益。存储器的生产已经演(yǎn)进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻蚀目(mù)前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深的孔或(huò)者沟槽，催生(shēng)更多设备(bèi)需求。据东京电子(zi)披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美国(guó)限制名单，设(shè)备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关(guān)公司份额(é)提升，以及(jí)存(cún)储业务(wù)占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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