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　　美光公司在(zài)华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查(chá)

　　据(jù)网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光(guāng)公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信息基础设施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络安全审查的(de)结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(美人刑是什么，古代刑法美人计是什么意思guī)，我国内关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的运营者(zhě)应停(tíng)止采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目的是(shì)防范产品网络安全(quán)问题(tí)危害国家关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国家(jiā)安全的必(bì)要措施。中国坚定(dìng)推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法(fǎ)律法规要求，欢(huān)迎各国(guó)企业、各类平台产品服务(wù)进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家安全，依据《中华人民共(gòng)和国国家(jiā)安全法》《中华人民共(gòng)和国(guó)网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对(duì)美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从此前高(gāo)峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西(xī)部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司(sī)供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要(yào)大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第三(sān)大(dà)供应商采购金额占比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产业链上下游建(jiàn)立(lì)国内外(wài)广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示(shì)，江波龙与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了(le)长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场的供(gōng)应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分(fēn)析，如(rú)果美光在中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫(xīn)存储(chǔ)等(děng)竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的(de)生产已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维(wéi)的(de)结构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄(báo)膜(mó)成为(wèi)最关键、最大量的(de)加工设备。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng)电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计(jì)为75％。自长江存储被加入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积(jī)）等相关(guān)公司份额提(tí)升(shēng)，以(yǐ)及(jí)存储业务占(zhàn)比较(jiào)高(gāo)的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗(xǐ)）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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