大家好，来看一(yī)则(zé)突发(fā)消(xiāo)息。

　　美光公司在华销售(shòu)的(de)产品未通过网(wǎng)络安(ān)全(quán)审查

　　据网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光公司产品存在较严重网络安全(quán)问题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法作(zuò)出不(bù)予通(tōng)过(guò)网络安全审查的(de)结论。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美(měi)光公(gōng)司产品进行网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护国越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对(duì)外开(kāi)放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各(gè)类平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为保障(zhàng)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民(mín)共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全(quán)审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美(měi)光是美国的存储(chǔ)芯片(piàn)行(xíng)业龙头，也是全球存(cún)储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披(pī)露过美光等国际存储厂商为公(gōng)司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比(bǐ)已经(jīng)显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额(é)占比分(fēn)别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已经在存储产业链上(shàng)下游建(jiàn)立国(guó)内外广(guǎng)泛合作(zuò)。20越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》22年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西(xī)部数(shù)据等(děng)主(zhǔ)要存储(chǔ)晶圆(yuán)原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合(hé)约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的(de)稳定(dìng)性，巩固公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂武汉长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就(jiù)分析，如果美光在(zài)中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海力士，国(guó)内长江存(cún)储、长(zhǎng)鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设(shè)备厂或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维的结构转变使刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需(xū)要经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤(zhòu)，同时刻蚀目前(qián)前沿(yán)要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更(gèng)多设备需(xū)求。据东京电越妇言文言文阅读翻译，《越妇言》(diàn)子披(pī)露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占(zhàn)3D NAND产(chǎn)线资本(běn)开支合计为75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉(chén)积）等(děng)相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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