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　　美(měi)光公(gōng)司(sī)在华销售的(de)产品未通过(guò)网络(luò)安全审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影(yǐng)响我国国家安(ān)全。为此(cǐ)，网络安全审查办(bàn)公室依法作出不(bù)予通过网络(luò)安全审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施(shī)的(de)运营者应停(tíng)止采购(gòu)美光公(gōng)司产品。

　　此次对美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问(wèn)题危害国家关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国(guó)企(qǐ)业、各类平台产品服务Medical staff可数吗，stuff进(jìn)入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网(wǎng)发文(wén)称，为(wèi)保障关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安全(quán)，防范产品问题隐Medical staff可数吗，stuff患造成网络安(ān)全风险，维护国家安(ān)全，依据《中华(huá)人民共和国国家安全(quán)法(fǎ)》《中华人民(mín)共和国网络安全(quán)法》，网络安全审(shěn)查办公室按照《网(wǎng)络(luò)安全审查办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力士(shì)、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光(guāng)等国际存(cún)储(chǔ)厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比(bǐ)已经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是主要(yào)大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第(dì)一大(dà)、第二大和第三大(dà)供(gōng)应(yīng)商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立(lì)国内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储(chǔ)晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定(dìng)性(xìng)，巩固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存(cún)储、合肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售(shòu)受到限制，或将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前(qián)沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可(kě)能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制名单，设备国产化进程加(jiā)速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄(báo)膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长。

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