大家好，来看(kàn)一(yī)则(zé)突(tū)发消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产(chǎn)品未通过网络(luò)安全审查

　　据网信(xìn)办消息，日前，网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)公室依法对(duì)美光公(gōng)司(sī)在(zài)华销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐(yǐn)患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链造成(chéng)重(zhòng)大安全(quán)风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依(yī)法作出(chū)不予通过网(wǎng)络(luò)安全审查的结(jié)论(lùn)。按(àn)照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规(guī)，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司产品进行网络(luò)安全(quán)审(shěn)查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全，是维护国(guó)家安(ān)全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法律法规要求(qiú)，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文(wén)称，为保障(zhàng)关键信息基础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护(hù)国家(jiā)安(ān)全，依据《中华人(rén)民共和国国家安(ān)全法》《中华人民共和(hé)国网络安全法》，网(wǎng)络安(ān)全审查办公(gōng)室(shì)按照《网(wǎng)络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光(guāng)、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约为(wèi) 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储(chǔ)等公司披露过(guò)美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂商(shāng)为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购(gòu)占比已经显(xiǎn)著下降(jiàng)，至少已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年(nián)美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大(dà)和第三(sān)大供应商采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报(bào)显示(shì)，江波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游市场的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内(nèi)国产存储晶圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长(zhǎng)江存(cún)储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受到限制，或将导致下(xià)游客户转而(ér)采购国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析(xī)称(chēng)，长存、长鑫的上游设备做出贡献，做出贡献与作出贡献的区别在哪厂(chǎng)或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻(kè)蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会(huì)更深的孔或者(zhě)沟槽(cáo)，催生(shēng)更多(duō)设备需求。据(jù做出贡献，做出贡献与作出贡献的区别在哪)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自(zì)长(zhǎng)江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看(kàn)好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积）等(děng)相关公司份额提(tí)升，以及(jí)存储业务占比(bǐ)较(jiào)高的华(huá)海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。

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