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　　美光(guāng)公(gōng)司在华(huá)销(xiāo)售的产品未通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审(shěn)查发现，美光公司(sī)产(chǎn)品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐(yǐn)患(huàn)，对我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重大安全风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予诫勉谈话影响期是多长时间，诫勉谈话受影响吗通过网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)的结论。按照《网络(luò)安(ān)全法》等法律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键信(xìn)息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购(gòu)美光(guāng)公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品进行(xíng)网络安(ān)全审查，目的是防范(fàn)产品(pǐn)网络安(ān)全(quán)问题(tí)危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是维护(hù)国家安全的必(bì)要措施。中国坚(jiān)定推进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放，只要遵守中国(guó)法律法规要(yào)求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台产品服务进入中国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为(wèi)保障关(guān)键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据《中(zhōng)华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法(fǎ)》，网络(luò)安(ān)全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络安(ān)全审查办(bàn)法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯(xīn)片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存(cún)）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美光等(děng)国际存储厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主要大(dà)供应商。

　　公告(gào)显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大(dà)存储晶圆供(gōng)应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大和第(dì)三(sān)大供应商(shāng)采购金额占(zhàn)比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前(qián)江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美(měi)光、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原厂签(qiān)署了长期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游市场的(de)供应优势，公司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致(zhì)下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关(guān)键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工(gōng)艺步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔或者沟槽，催(cuī)生更(gèng)多设(shè)备(bèi)需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进(jìn)程加速(sù)，看(kàn)好拓(tuò)荆科技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份(fèn)额提升，以及存储业(yè)务占(zhàn)比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收(shōu)入增(zēng)长(zhǎng)。

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