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天之蓝52度多少钱一瓶 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家(jiā)好,来看一则突发(fā)消息。

  美光(guāng)公司在华销售(shòu)的产品未(wèi)通过网络(luò)安(ān)全审查

  据网(wǎng)信办消息,日前,网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华(huá)销(xiāo)售(shòu)产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产(chǎn)品存在较严重网络安全问题(tí)隐(yǐn)患,对我(wǒ)国(guó)关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大(dà)安全(quán)风险,影(yǐng)响我国国家安全。为此,网络(luò)安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法作出不予通过网络(luò)安(ān)全审查的结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规,我国内关键(jiàn)信息(xī)基础(chǔ)设施的运营者(zhě)应停(tíng)止采购美(měi)光公司(sī)产品。

  此次对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安(ān)全审查,目的是(shì)防范产品(pǐn)网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息基础设施(shī)安全,是维护国家安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推(tuī)进高水平对外(wài)开放,只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法规要求,欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进入中国市场。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出(chū)手:停(tíng)止采(cǎi)购!

  3月31日,中国网信网发文称,为保障关键(jiàn)信息基础设施供应链安全,防范产(chǎn)品(pǐn)问题隐(yǐn)患造成网络安全风险(xiǎn),维护国家安全,依(yī)据《中华(huá)人民共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和(hé)国网络安全法(fǎ)》,网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)法》,对美光公司(Micron)在华销售的产品实施网络安全(quán)审查。

  半导体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行业龙头,也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之(zhī)一(yī),2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高峰57%降至2022年约(yuē)11%。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia(IHS Markit)统(tǒng)计,2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪(shǎn)存)市(shì)场份额约(天之蓝52度多少钱一瓶yuē)为 96.76%,三星电(diàn)子、 SK 海力(lì)士(shì)、美光在全球 DRAM (内存)市(shì)场份额约为 94.35%。

  A股上市公司中(zhōng),江波龙(lóng)、佰维(wéi)存(cún)储等公司披露过(guò)美光等(děng)国际(jì)存(cún)储厂商为(wèi)公司供应商(shāng)。

  美光在江(jiāng)波龙采购占比已(yǐ)经显著(zhù)下降(jiàng),至少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要(yào)大供应商。

  公告显示, 2021年美光位列江波龙第(dì)一大存(cún)储晶圆(yuán)供应商,采购(gòu)约31亿(yì)元,占比(bǐ)33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购金额占比分别是26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示,江波龙与(yǔ)三(sān)星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)签署了长(zhǎng)期合(hé)约,确(què)保存(cún)储晶圆(yuán)供应的稳定性,巩固公司(sī)在下游市场的供应(yīng)优势,公司也与国内国(guó)产存储晶圆(yuán)原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

天之蓝52度多少钱一瓶>  有券商此前就(jiù)分析,如果(guǒ)美光在(zài)中国区销售受到限制,或将导致下游(yóu)客户(hù)转而采购(gòu)国外(wài)三星、 SK海(hǎi)力(lì)士,国内长江存储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

  分析称,长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或(huò)从中受益。存储器的生(shēng)产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺(yì)。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄(báo)膜(mó)成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积(jī)工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要刻到 60:1的深孔,未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽,催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据东(dōng)京电子披露,薄膜沉积设备及刻蚀(shí)占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75%。自长(zhǎng)江存储被(bèi)加入美国(guó)限制(zhì)名单(dān),设备国产化进(jìn)程加速,看(kàn)好拓荆(jīng)科技(薄膜沉积)等相关公司(sī)份额提升,以(yǐ)及存储业务占比(bǐ)较高的华海清科(CMP)、盛美上(shàng)海(hǎi)(清洗)等收入(rù)增(zēng)长。

 

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