大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司(sī)在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安(ān)全审(shěn)查办公(gōng)室(shì)依法对美光(guāng)公(gōng)司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产品(pǐn)存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患，对我国关(guān)键信息基础设(shè)施供应链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国国家(jiā)安(ān)全。为此(cǐ)，网(wǎng)络(luò)安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网(wǎng)络安全审查的结论(lùn)。按照《网络(luò)安全法(fǎ)》等法2024年房价会继续下跌吗律法规，我国内关键信息(xī)基础(chǔ)设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品。

　　此次对美光公司产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审查，目的是防范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信(xìn)息(xī)基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平(píng)台(tái)产(chǎn)品服(fú)务进入中国(guó)市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信息基础设施供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成(chéng)网(wǎng)络(luò)安全风险，维(wéi)护国家安全，依(yī)据《中华人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查。

　　美(měi)光是(shì)美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球存储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计(2024年房价会继续下跌吗jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠(kǎi)侠、西部数(shù)据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海(hǎi)力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公(gōng)司披露(lù)过(guò)美光(guāng)等国际存储厂商(shāng)为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美(měi)光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位列江波龙(lóng)第一(yī)大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一(yī)大、第二大(dà)和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产业链上下游建立(lì)国内外广泛合(hé)作。2022年年报显示，江(jiāng)波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数据等主(zhǔ)要存储晶圆(yuán)原厂签署了长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性(xìng)，巩固公司在下(xià)游市场的(de)供应(yīng)优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国(guó)产存储晶圆原厂武汉长江(jiāng)存(cún)储、合(hé)肥(féi)长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券(quàn)商此前就分析(xī)，如果(guǒ)美光(guāng)在中国(guó)区(qū)销(xiāo)售受到(dào)限制，或将导致(zhì)下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的(de)上游设备厂(chǎng)或从中受益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要(yào)经过(guò)薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前(qián)沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深(shēn)的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入(rù)美(měi)国限制名单，设备国产化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的(de)华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 2024年房价会继续下跌吗