大家好，来看一则(zé)突发消(xiāo)息。

　　美光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)的产(chǎn)品未通过网络安全审查

　　据网信办消息24V电瓶多少瓦 24v电瓶怎么充电，日前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办(bàn)公(gōng)室依法对美光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进行了网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问(wèn)题隐患，对(duì)我国关(guān)键信息(xī)基础设施供应链造成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依(yī)法(fǎ)作出不予(yǔ)通过网络(luò)安全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法律法(fǎ)规，我(wǒ)国(guó)内(nèi)关键信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产(chǎn)品进行(xíng)网(wǎng)络安全审查(chá)，目的(de)是防范产品网络(luò)安全(quán)问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高水(shuǐ)平对(duì)外开放，只要遵守中国(guó)法(fǎ)律法规要求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关(guān)键信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造(zào)成网(wǎng)络(luò)安全(quán)风险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审查办(bàn)法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是(shì)美国的存(cún)储(chǔ)芯片(piàn)行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯(xīn)片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入来(lái)自中国市(shì)场收入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份(fèn)额约为 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披(pī)露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告(gào)显示， 2021年(nián)美光位列江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应(yīng)商(shāng)，采购(gòu)约(yuē)31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一(yī)大、第二(èr)大和第三大(dà)供应(yīng)商采(cǎi)购金(jīn)额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在(zài)存(cún)储产业链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光、西(xī)部(bù)数据等主要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司也(yě)与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫(xīn)保持良好(hǎo)的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储等(děng)竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设(shè)备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入(rù)3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关24V电瓶多少瓦 24v电瓶怎么充电(guān)键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支合计为75％。自长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程(chéng)加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公司(sī)份额提升，以及存储业(yè)务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增长。

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