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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对美光公司在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品(pǐn)存在较严重网一升等于多少毫升应该是1000，一升等于多少毫升ml络安全问(wèn)题(tí)隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公(gōng)室依法作出不予通过(guò)网络安(ān)全审查的结论。按(àn)照《网(wǎng)络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者(zhě)应停止采购美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司(sī)产品进行网(wǎng)络安全审查(chá)，目的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国(guó)家关键(jiàn)信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措施(shī)。中国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规(guī)要(yào)求，欢迎(yíng)各(gè)国企业、各类(lèi)平台产品服(fú)务(wù)进(jìn)入(rù)中国市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网发(fā)文(wén)称，为保障关(guān)键信息(xī)基础设(shè)施供应链安全，防范产品(pǐn)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和国国家安全法》《中(zhōng)华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全(quán)审查(chá)办公(gōng)室按照《网络安(ān)全(quán)审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安(ān)全审(shěn)查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存储芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据(jù)市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪(shǎn)一升等于多少毫升应该是1000，一升等于多少毫升ml存）市(shì)场份(fèn)额约为(wèi) 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力(lì)士、美光在全球 DRAM （内(nèi一升等于多少毫升应该是1000，一升等于多少毫升ml)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国际存(cún)储厂商为公(gōng)司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已(yǐ)经(jīng)显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告(gào)显示， 2021年美光位列(liè)江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波(bō)龙(lóng)已经在存(cún)储(chǔ)产业链上下游建立国内外(wài)广泛合作。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星(xīng)、美光、西部数据等主要(yào)存储晶圆原厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势(shì)，公司也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等(děng)竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫(xīn)的(de)上游设备(bèi)厂或(huò)从中(zhōng)受益。存储器(qì)的生(shēng)产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每(měi)层均需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能(néng)会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设(shè)备需求。据东京电(diàn)子(zi)披露，薄膜沉(chén)积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设(shè)备国产化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司(sī)份额提(tí)升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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