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　　美(měi)光公司在(zài)华(huá)销售的(de)产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查

　　据网信办消息，日(gta5怎么切换角色rì)前(qián)，网络安全审查(chá)办公(gōng)室依法对美光公司在华(huá)销售产(chǎn)品进行了(le)网络安(ān)全(quán)审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光(guāng)公司产品存在较严重网络(luò)安(ān)全问题隐患，对我(wǒ)国关(guān)键信(xìn)息基础设(shè)施(shī)供应(yīng)链造成重大安(ān)全风险，影响我国国家安(ān)全。为(wèi)此，网络安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信息基(jī)础设施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)进行网络安全审查，目(mù)的是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品(pǐn)服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日(rì)，中国网信网发(fā)文称(chgta5怎么切换角色ēng)，为保(bǎo)障关键信息基(jī)础设施供应链安全，防范产(chǎn)品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国(guó)网络安gta5怎么切换角色全法》，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全(quán)审查(chá)办(bàn)法(fǎ)》，对美光公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实施(shī)网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的存(cún)储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国(guó)市场(chǎng)收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江(jiāng)波龙、佰维(wéi)存储(chǔ)等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶圆供应商(shāng)，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第(dì)二大(dà)和(hé)第三(sān)大供应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在(zài)存储产业(yè)链(liàn)上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主要(yào)存储(chǔ)晶圆(yuán)原厂签(qiān)署了长期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆(yuán)供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场(chǎng)的(de)供应优势，公司也与国(guó)内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保(bǎo)持良(liáng)好的合作。

　　有(yǒu)券商此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀(shí)和薄膜成为(wèi)最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿要刻到 60：1的(de)深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资(zī)本(běn)开支合计(jì)为(wèi)75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技(jì)（薄膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较高的华(huá)海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等(děng)收入(rù)增长。

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