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　　美光(guāng)公司在华销售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审查

　　据(jù)网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依法(fǎ)对美光公司在华(huá)销售产品进行(xíng)了网络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司(sī)产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患，对(duì)我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链(liàn)造(zào)成重大安全(quán)风(fēng)险(xiǎn)，影响我国国家(jiā)安(ān)全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公(gōng)室依法(fǎ)作(zuò)出(chū)不予通过(guò)网络(luò)安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律(lǜ)法规，我(wǒ)国内关键(jiàn)信息基础设施的运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公司(sī)产品进行网络安全(quán)审查，目的是防范产品网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题危害国家(jiā)关键信息基础设施安全，是维护国(guó)家(jiā)安全的必要(yào)措(cuò)施(shī)。中国坚定推(tuī)进(jìn)高(gāo)水平对外开(kāi)放(fàng)，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要(yào)求，欢迎各国(guó)企(qǐ)业、各类(lèi)平台产(chǎn)品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网(wǎng)信网发文(wén)称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)皇太极的父皇是谁，清朝历代帝王顺序表信息(xī)基(jī)础设施(shī)供应链(liàn)安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全审(shěn)查。

　　美光(guāng)是美国的存(cún)储芯(xīn)片(piàn)行业龙(lóng)头，也是全球存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场(chǎng)收入(rù)从此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星(xīng)电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商(shāng)为公(gōng)司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙采购(gòu)占比已(yǐ)经(jīng)显著下降(jiàng)，至少已经不是主要大供应商(shāng)。

　　公告(gào)显示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江波龙第一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二(èr)大和第三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江(jiāng)波龙已经在(zài)存储产业链上(shàng)下游建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显(xiǎn)示，江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据(jù)等主要存(cún)储晶圆原厂签署了(le)长期合(hé)约，确保存储晶圆(yuán)供应的稳(wěn)定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优(yōu)势(shì)，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券(quàn)商此前(qián)就分析，如果美光在(z皇太极的父皇是谁，清朝历代帝王顺序表ài)中国区销售(shòu)受到(dào)限制，或将导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量的加工(gōng)设备。3D NAND每(měi)层均需要经过薄膜沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时(shí)刻(kè)蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京电(diàn)子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入(rù)美(měi)国(guó)限制名单，设(shè)备(bèi)国(guó)产化进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜沉积(jī)）等相关公司份额提(tí)升，以及存储业务占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清(qīng)洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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