大家好(hǎo)，来看一则突(tū)发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公(gōng)司在华销(xiāo)售(shòu中国飞机事故率是多少)的产品未(wèi)通过(guò)网络安全审(shěn)查(chá)

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室(shì)依法对美(měi)光公司(sī)在华销售产品进行了网络安全(quán)审查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信息基(jī)础设施供(gōng)应链造成重(zhòng)大(dà)安全风险，影响我国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法(fǎ)作出(chū)不(bù)予通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查的(de)结(jié)论。按照《网(wǎng)络安全(quán)法》等法(fǎ)律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信(xìn)息基础(chǔ)设施的(de)运营者应(yīng)停(tíng)止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品。

　　此次对(duì)美光公(gōng)司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审(shěn)查，目的是防范产(chǎn)品(pǐn)网络安(ān)全问题危害(hài)国家(jiā)关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施安全，是维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国(guó)坚定(dìng)推进高水(shuǐ)平对外开放，只要遵守中国法律法(fǎ)规要求，欢迎(yíng)各国企业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为(wèi)保障(zhàng)关键(jiàn)信息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全风险，维护(hù)国家(jiā)安全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共(gòng)和国国家安全法》《中华人(rén)民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华(huá)销售的产(chǎn)品实(shí)施网络(luò)安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是(shì)全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三(sān)星电子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司中(zhōng)，江波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少(shǎo)已(yǐ)经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波(bō)龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙第一大(dà)、第二大和第三大(dà)供应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美光、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储(chǔ)晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国产(chǎn)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(h中国飞机事故率是多少àn)长江存(cún)储、合肥长鑫保持良(liáng)好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果(guǒ)美光(guāng)在中国区销售受到限制(zhì)，或将导致下(xià)游客户(hù)转(zhuǎn)而采购国外三星(xīng)、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长(zhǎng)江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储等竞对产品(pǐn)

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器(qì)的(de)生产(chǎn)已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构中国飞机事故率是多少(gòu)转(zhuǎn)变(biàn)使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过(guò)薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据东京电子披(pī)露，薄膜沉积(jī)设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本(běn)开支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制名单，设备国产化进(jìn)程加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技(jì)（薄膜(mó)沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比较高的华(huá)海(hǎi)清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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