大家好，来看一则突(tū)发消(xiāo)息(xī)。

　　美(měi)光公司在华销售(shòu)的产品未通(tōng)过网络(luò)安全审查平安喜乐后面一句是啥，平安喜乐后面一句是什么ng>

　　据(jù)网信办消息，日(rì)前，网络安(ān)全审查办公室依法(fǎ)对美光公司在(zài)华销售产品进行了网络(luò)安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关(guān)键信息基础(chǔ)设施供(gōng)应链造成重大安全(quán)风险，影响(xiǎng)我国国家安全。<平安喜乐后面一句是啥，平安喜乐后面一句是什么/strong>为(wèi)此(cǐ)，网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)办(bàn)公室依法作出不予通过网(wǎng)络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止采购美光公司产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次对(duì)美光公司产品(pǐn)进行(xíng)网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网(wǎng)络安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是(shì)维护(hù)国家安全的(de)必要(yào)措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守中国法(fǎ)律(lǜ)法规(guī)要(yào)求，欢迎各(gè)国(guó)企(qǐ)业、各类平台(tái)产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称，为保障关键(jiàn)信息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安(ān)全(quán)，依据《中华(huá)人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售(shòu)的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的(de)存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨头之一(yī)，2022年收(shōu)入(rù)来自中(zhōng)国(guó)市(shì)场收(shōu)入从平安喜乐后面一句是啥，平安喜乐后面一句是什么(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星电子(zi)、 SK 海力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公(gōng)司供应商(shāng)。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大(dà)供应(yīng)商。

　　公告显示(shì)， 2021年美(měi)光位列(liè)江波龙第一大存(cún)储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第(dì)二大和第三大(dà)供应商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下(xià)游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示(shì)，江(jiāng)波龙与三(sān)星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合约，确保存(cún)储晶(jīng)圆(yuán)供应的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将导(dǎo)致下游(yóu)客户转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称(chēng)，长(zhǎng)存、长鑫的上游(yóu)设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能(néng)会更(gèng)深(shēn)的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需(xū)求(qiú)。据(jù)东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程加速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等(děng)相关公司(sī)份额(é)提升，以及存储业务占比较高的华海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入(rù)增长。