大家好(hǎo)，来看(kàn)一则突发消息(xī)。

　　美光公司(sī)在华销售的产品未通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办公(gōng)室依法对美光公司(sī)在华销售(shòu)产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对(duì)我国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链造(zào)成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安(ān)全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不予通(tōng)过网络安全审查的结论(lùn)。按照《网络安全(quán)法》等法律(lǜ)法规，我国(guó)内关键信息基(jī)础设施的运营(yíng)者(zhě)应停止采(cǎi)购美光公司产品。

　　此(c将进酒为何读qiang，陈道明朗诵《将进酒》ǐ)次(cì)对美光公司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题(tí)危害(hài)国家关(guān)键信息基础设施安全，是维(wé将进酒为何读qiang，陈道明朗诵《将进酒》i)护国家安全的必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高水平对外(wài)开放，只(zhǐ)要遵守中国法律(lǜ)法(fǎ)规要求，欢(huān)迎各国企业、各类(lèi)平台(tái)产品(pǐn)服(fú)务进入(rù)中国(guó)市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信(xìn)网发文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链安全，防范产品问(wèn)题隐患造成网(wǎng)络安全风险(xiǎn)，维(wéi)护国家安全(quán)，依(yī)据(jù)《中(zhōng)华人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共(gòng)和国网络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销售的(de)产(chǎn)品实施网络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市场(chǎng)收(shōu)入从(cóng)此前高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、将进酒为何读qiang，陈道明朗诵《将进酒》西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星(xīng)电子(zi)、 SK 海力(lì)士、美光(guāng)在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波(bō)龙采购占比已经显著下降，至少(shǎo)已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美光(guāng)位列江波(bō)龙(lóng)第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波(bō)龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙与(yǔ)三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储晶(jīng)圆供应(yīng)的(de)稳定性，巩固公司在下游市场的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产(chǎn)存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂武汉(hàn)长江存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的合作(zuò)。

　　有券商此前(qián)就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客户转而采购国(guó)外三(sān)星、 SK海(hǎi)力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中(zhōng)受(shòu)益(yì)。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进(jìn)入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的(de)结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄(báo)膜成为最关键、最大量的(de)加(jiā)工设(shè)备。3D NAND每层均需(xū)要经过薄膜(mó)沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的(de)深(shēn)孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟(gōu)槽，催生更多设(shè)备需(xū)求(qiú)。据东京(jīng)电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为75％。自长江存储被(bèi)加入美国(guó)限制名单，设备国产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额(é)提(tí)升(shēng)，以及(jí)存储业务占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上海(hǎi)（清洗）等收入增(zēng)长(zhǎng)。

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