大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在(zài)华销售的产(chǎn)品(pǐn)未通过网络安全审(shěn)查

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络安全审(shěn)查办公(gōng)室依法对(duì)美(měi)光公(gōng)司在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品进行了网络安全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现(xiàn)，美光公司(sī)产品存(cún)在较严重(zhòng)网络安全问题隐患，对我国关键信息(xī)基础(chǔ)设施(shī)供应链造成重大安全(quán)风险，影(yǐng)响我国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查办公室依法作(zuò)出不予通过网(wǎng)络安全审查的结论。按照(zhào)《网(wǎng)络安全法(fǎ)》等法律(lǜ)法规，我国内关键信(xìn)息基础设(shè)施的运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审查(chá)，目的是防范(fàn)产品网络安全(quán)问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全(quán)，是维(wéi)护国家(jiā)安全的必要措施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵守(shǒu)中(zhōng)国法律法(fǎ)规要求，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类平台产品服务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应(yīng)链安全，防范产(chǎn)品问题(tí)隐患造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民(mín)共和(hé)国国家安全法》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网络安(ān)全(quán)审(shěn)查。

　　美光是(shì)美国(guó)的存储芯片行业龙(lóng)头，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收入从此(cǐ)前(qián)高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2022023是佛历多少年，今年是佛历多少年多少月1 年三(sān)星电子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西(xī)部数据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全(quán)球(qiú) NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波龙、佰(bǎi)维存储等公司披露过(guò)美光(guāng)等国(guó)际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在(zài)江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位(wèi)列江(jiāng)波龙第一大存储晶(jīng)圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大、第二大(dà)和第三大供(gōng)应商(shāng)采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经(jīng)在存(cún)储产业链上下游(yóu)建立国内(nèi)外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要存储晶(jīng)圆原厂签署了长期合约，确保存储(chǔ)晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游市场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作(zuò)。

　　有券商此前就分(fēn)析，如果美光在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致下游客(kè)户转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长(zhǎng)江存储、长鑫存储等竞对(duì)产(chǎn)品(pǐn)

　　分析(xī)称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益(yì)。存储器的生(shēng)产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构转变使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大(dà)量的加工设备(bèi)。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未(wèi)来可能会(huì)更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存(cún)储(chǔ)被(bèi)加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜(mó)沉积）等相关公司(sī)份额(é)提升(shēng)，以及存储业务(wù)占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清洗）等收入增(zēng)长。

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