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　　东隅已逝桑榆非晚是什么意思美光公司在华销售的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)

　　据网信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查办公室依法对美光(guāng)公司(sī)在(zài)华销售(shòu)产品(pǐn)进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在较严重(zhòng)网络安(ān)全问题隐患(huàn)，对(duì)我国(guó)关(guān)键信息基础设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全。为此，网(wǎng)络安全审(shěn)查办公室依法作出不予通(tōng)过网络安全审查的(de)结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题危(wēi)害国家关(guān)键信息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中(zhōng)国坚定推进高水平对(duì)外开放，只要(yào)遵守中(zhōng)国法(fǎ)律法规要求，欢迎各国(guó)企业、各类平台产品(pǐn)服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信(xìn)网发文称，为保障关键信息基础设施供应链(liàn)安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐患造(zào)成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依(yī)据《中华人民共和(hé)国国家安全法》《中华人民共和国网络(luò)安(ān)全法》，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室(shì)按照《网络安(ān)全审(shěn)查办法(fǎ)》，对(duì)美光(guāng)公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全(quán)审查(东隅已逝桑榆非晚是什么意思chá)。

　　美光是美国的(de)存储芯片行业(yè)龙(lóng)头(tóu)，也是全球存(cún)储芯片(piàn)巨头之一，2022年收入来自中(zhōng)国市场收(shōu)入从此前(qián)高峰57％降至2022年约11％。根据(jù)市场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠(xiá)、西部数(shù)据(jù)、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士(shì)、美光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公(gōng)司(sī)供应商。

　　美(měi)光(guāng)在江波龙采购占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下降，至少已(yǐ)经不是(shì)主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一(yī)大(dà)存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿(yì)元，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大和第(dì)三大供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在存(cún)储产业链上下游建立国内外(wài)广泛(fàn)合作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部数(shù)据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原(yuán)厂签(qiān)署了长(zhǎng)期(qī)合约，确保存储(chǔ)晶圆供应(yīng)的稳定性，巩固(gù)公司在(zài)下游市(shì)场的供应优势，公司也与(yǔ)国内国产存储晶圆原厂武(wǔ)汉长江存储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的(de)合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经(jīng)演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的(de)结(jié)构转东隅已逝桑榆非晚是什么意思(zhuǎn)变使刻蚀和薄膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来(lái)可能会更(gèng)深的(de)孔(kǒng)或(huò)者沟槽，催(cuī)生更多设(shè)备需(xū)求。据东京(jīng)电子披露，薄膜沉(chén)积设备及(jí)刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支(zhī)合计为75％。自长江存(cún)储被加入美国限制名单，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积）等相关公司份额(é)提(tí)升，以及(jí)存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增长(zhǎng)。

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