大(dà)家好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产(chǎn)品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华(huá)销售产品进行了网络安(ān)全(quán)审查(chá)。

　　审查(chá)发现(xiàn)，美(měi)光(guāng)公司产品存在较严重网(wǎng)络(luò)安全(quán)问题隐患，对(duì)我国关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险(xiǎn)，影响我国(guó)国家(jiā)安全。为此，网络(luò)安全审查办公室依(yī)法作出不予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等(děng)法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全审(shěn)查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的(de)必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法律法规(guī)要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服(fú)务(wù)进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为(wèi)保(bǎo)障关键(jiàn)信息基础设施供(gōng)应链安全，防范(fàn)产品(pǐn)问题隐患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人(rén)民共和国(guó)网络安(ān)全法》，网络(luò)安全审(shěn)查办公室(shì)按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网络安(ān)全审查。

　　美光(guāng)是美国的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是(shì)全球存(cún)储(chǔ)芯(xīn)片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中(zhōng)国(guó)市场(chǎng)收入(rù)从(cóng)此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠(xiá)、西部(bù)数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三(sān)星电子(zi)、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已经显(xiǎn)著(zhù)下降，至少(shǎo)已经不(bù)是主(zhǔ)要大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美(měi)光位列江波(bō)龙(lóng)第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商，采购约(yuē)31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应(yīng)商采购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙(lóng)已(yǐ)经在存(cún)储产(chǎn)业链(liàn)上(shàng)下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年(nián)报显示，江波(bō)龙与三星、美光、西部(bù)数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签(qiān)署了(le)长(zhǎng)期合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在(zài)下游市场的供(gōng)应(yīng)优势，公司(sī)也与国内国产疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别tyle='color: #ff0000; line-height: 24px;'>疏离感和陌生感的意思是什么，疏离感和陌生感的区别存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长(zhǎng)江存储、合肥长鑫保持良好的合作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前就(jiù)分析，如果美光在中国区销售受到限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士(shì)，国内长江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储(chǔ)等竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的(de)上游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已(yǐ)经演进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另(lìng)外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变(biàn)使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔或(huò)者沟槽，催生更(gèng)多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入(rù)美国限制名单，设备(bèi)国(guó)产化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份额提升，以及存储(chǔ)业务(wù)占比较高的(de)华海清科(kē)（CMP）、盛(shèng)美上(shàng)海（清洗）等收入增长。

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