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　　美光公司在华销(xiāo)售的产品(pǐn)未通过网(wǎng)络安全审(shěn)查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络(luò)安全审(shěn)查办公虚部是什么意思，复数的实部和虚部是什么室依法(fǎ)对(duì)美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产(chǎn)品(pǐn)进行了网络安全审查(chá)。

　　审查(chá)发现，美光公司产(chǎn)品(pǐn)存在较严(yán)重网络安全问题(tí)隐患，对(duì)我国(guó)关键信息基础设(shè)施(shī)供应链造成重(zhòng)大安(ān)全风(fēng)险，影响(xiǎng)我国(guó)国家(jiā)安(ān)全。为此，网络安(ān)全审查办公室依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安(ān)全审查的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法规(guī)，我国(guó)内关(guān)键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营(yíng)者应停止采购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行(xíng)网络安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害(hài)国家关键信息基础设施安全，是维护国家安全(quán)的必(bì)要措施。中(zhōng)国(guó)坚(jiān)定推进(jìn)高水平(píng)对外开放，只要遵守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规(guī)要求(qiú)，欢迎各国企业(yè)、各类平台(tái)产品服务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基础(chǔ)设施供应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题隐患(huàn)造成网络安全(quán)风险，维护国家安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安全法》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网(wǎng)络安全审查办公室(shì)按照《网络安(ān)全审查办法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的(de)存储(chǔ)芯片行业龙头，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从(cóng)此(cǐ)前高(gāo)峰57％降(jiàng)至(zhì)2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在全球(qiú) NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储虚部是什么意思，复数的实部和虚部是什么等公司披露过(guò)美(měi)光等国际(jì)存储厂商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙(lóng)采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美光位列江波龙第一大(dà)存储晶(jīng)圆(yuán)供应商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第(dì)三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江(jiāng)波(bō)龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链(liàn)上下游建立国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确(què)保存储(chǔ)晶圆供应的稳定性，巩固公(gōng)司(sī)在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国产存(cún)储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫保持良(liáng)好的合作。

　　有券商(shāng)此前(qián)就(jiù)分析(xī)，如果美(měi)光(guāng)在中国(guó)区销售受到限制，或(huò)将(jiāng)导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购(gòu)国(guó)外(wài)三星(xīng)、 SK海力(lì)士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称，长存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存储(chǔ)器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未来可能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东京(jīng)电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及(jí)刻蚀占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设备国产化(huà)进程加(jiā)速，看好拓(tuò)荆科技（薄膜(mó)沉积(jī)）等相关公(gōng)司份额提升，以及存储业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海（清洗）等收入(rù)增长。

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