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　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络安全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消(xiāo)息(xī)，日前，网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查办公室依法(fǎ)对(duì)美光公司在(zài)华销售产(chǎn)品进行(xíng)了网络(luò)安全审查。

　　审查发现，美光公司产品存在较严重网络安全问题隐患(huàn)，对我国关键信息基础设(shè)施供(gōng)应链造成重大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全审查办公室(shì)依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结论(lùn)。按(àn)照(zhào)《网络安(ān)全(quán)法》等(děng)法律法规，我国内(nèi)关键(jiàn)信息基础设施(shī)的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司(sī)产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的(de)是(shì)防范产品(pǐn)网络(luò)安全问题危(wēi)害国家关键信息基础设施安全，是维护(hù)国家安全(quán)的(de)必要措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各(gè)类平台产品(pǐn)服(fú)务(wù)进入中国市(shì)场(chǎng)。

　　3月31日，中国网(wǎng)信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信息基础设施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患造(zào)成网络安全(quán)风(fēng)险，维护国家安全，依据《中华人(rén)民共和(hé)国(guó)国家安全法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网络安全(quán)法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　美光是美国(guó)的存储芯(xīn)片行(xíng)业龙头，也是全球存储(chǔ)芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收(shōu)入从(cóng)此前高峰(fēng)57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力(lì)士(shì)、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约(yuē)为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储(chǔ)晶圆供应(yīng)商(shāng)，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大(dà)、第二大(dà)和(hé冲是什么意思网络用语，冲是什么意思污)第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已(yǐ)经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建(jiàn)立国(guó)内(nèi)外广泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显示(shì)，江波龙与三星、美光、西(xī)部数据等主要存储晶(jīng)圆原(yuán)厂签署了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供(gōng)应的稳定性，巩固公司在(zài)下游(yóu)市场(chǎng)的供应优势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的(de)合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商(shāng)此前就分析(xī)，如果美光在中国(guó)区销售(shòu)受(shòu)到限制，或将导致下(xià)游客户转而采冲是什么意思网络用语，冲是什么意思污购(gòu)国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备厂(chǎng)或(huò)从中受益。存(cún)储器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最(zuì)大量的加工设备。3D NAND每(měi)层(céng)均需要经过薄膜(mó)沉积工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀目前前沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来(lái)可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科(kē)技（薄(báo)膜沉积）等相关(guān)公司(sī)份额提升(shēng)，以及存(cún)储业务占比较高的(de)华海清(qīng)科(kē)（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等收入增长。

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