大家好，来看一(yī)则突(tū)发消息。

　　美光公司在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审查

　　据(jù)网信办(bà青少年是几岁到几岁了 20岁还能叫少年吗n)消息(xī)，日前，网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)对美(měi)光(guāng)公司在(zài)华销售(shòu)产品进(jìn)行了网(wǎng)络安全(quán)审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产品(pǐn)存在较严重网络安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国(guó)国家安全(quán)。为(wèi)此，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室依(yī)法(fǎ)作(zuò)出不(bù)予通过网络安(ān)全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关(guān)键信息基青少年是几岁到几岁了 20岁还能叫少年吗础设施(shī)的运营者应停止采购(gòu)美光(guāng)公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此(cǐ)次对美光公司产品(pǐn)进行网络安全审(shěn)查(chá)，目的(de)是(shì)防(fáng)范产品(pǐn)网络安全问(wèn)题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维护国家安全的必要措(cuò)施。中国坚定推进高水平(píng)对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国法律法规要求，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各(gè)类(lèi)平台产品(pǐn)服务进(jìn)入中国市场(chǎng)。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发(fā)文称(chēng)，为保(bǎo)障关键信(xìn)息基础设施供应链安全(quán)，防范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安(ān)全风险(xiǎn)，维(wéi)护国(guó)家安(ān)全，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施(shī)网络安全(quán)审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也是(shì)全球存储芯片巨(jù)头(tóu)之一，2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市(shì)场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星(xīng)电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在(zài)全球 DRAM （内存）市场(chǎng)份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际(jì)存储厂商(shāng)为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光位(wèi)列(liè)江波龙第一大存储晶圆供(gōng)应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第(dì)二大(dà)和第(dì)三大供应商采(cǎi)购金额(é)占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波(bō)龙已经在存储产业(yè)链上下游建立国内外(wài)广泛合(hé)作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西(xī)部(bù)数据等主要存储晶圆原(yuán)厂签署了(le)长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的供应优势，公(gōng)司(sī)也(yě)与国内国(guó)产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好(hǎo)的合(hé)作。

　　有券商此(cǐ)前就分(fēn)析，如果美(měi)光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下(xià)游(yóu)客户转(zhuǎn)而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长(zhǎng)江存储、长鑫(xīn)存储等竞对产品

　　分析称，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上游设备厂(chǎng)或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的(de)结构转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关键、最大量(liàng)的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积(jī)工艺(yì)步骤，同(tóng)时刻(kè)蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露(lù)，薄膜(mó)沉积设备(bèi)及(jí)刻蚀(shí)占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存(cún)储被加入美(měi)国(guó)限制名单，设备国产(chǎn)化进程加速，看好拓荆科技(jì)（薄(báo)膜沉积）等(děng)相关公(gōng)司份(fèn)额提升(shēng)，以及存储业务占比较高的华海(hǎi)清(qīng)科（CMP）、盛美上海(hǎi)（清洗）等收入(rù)增长。

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