大家好，来看一则突发消息。

　　美(měi)光公(gōng)司在(zài)华销售的产品未通过网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信(xìn)办消息(xī)，日前(qián)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)对美光公司在华销售(shòu)产品进行了网络安全审查。

　　审查发(fā)现，美光(guāng)公司产品存在(zài)较严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全(quán)问题隐患，对我国(guó)关键信息(xī)基础设施供应(yīng)链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我(wǒ)国国家安全。为此，网(wǎng)络(luò)安全(quán)审(shěn)查办公室依(yī)法作出不予通过(guò)网络安全审查的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国内关键信息基础(chǔ)设施的运营(yíng)者(zhě)应停(tíng)止采(cǎi)购美(měi)光公司产品。

　　此(cǐ)次对(duì)美光公司(sī)产品(pǐn)进(jìn)行网络安全审(shěn)查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题(tí)危害国家关(guān)键信息基础设(shè)施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安(ān)全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要(yào)遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各国企业、各类平台(tái)产品服务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发文称(chēng)，为保障(zhàng)关(guān)键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供应链安(ān)全，防范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网(wǎng)络安(ān)全(quán)风险，维护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家(jiā)安全法》《中华人民共和(hé)国网络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全(quán)审(shěn)查(chá)办(bàn)公(gōng)室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光公司（Micron）在华销(xiāo)售的(de)产品实(shí)施网络(luò)安全(quán)审(shěn)查。

　　美(měi)光是美国的存储芯片行业(yè)龙头，也是全球存储芯片巨(jù)头之一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计(jì)，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美(měi)光在全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储(chǔ)厂商为公司供应商。

　　美(měi)光在江波龙采购(gòu)占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是(shì)主要大供(gōng)应商。

　　公告显示， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供应商采购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下(xià)游(yóu)建(jiàn)立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江(jiāng)波龙与(yǔ)三星、美光(guāng)、西(xī)部数据(jù)等主要存储晶圆原(yuán)厂签署(shǔ)了长期合约(yuē)，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游市(shì)场(chǎng)的供应(yīng)优(yōu)势，公司(sī)也与(yǔ)国内国产存(cún)储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的(de)合作。

　　有(yǒu)券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国(guó)区销售受(shòu)到(dào)限制，或将导致下游(yóu)客户转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存储(chǔ)等竞(jìng)对(duì)产品

　　分(fēn)析称，长存、长鑫的(de)1米等于多少厘米换算表，一米等于多少厘米换算单位上游设(shè)备(bèi)厂或从中受益(yì)。存(cún)储器的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变(biàn)使刻(kè)蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层均需要(yào)经(jīng)过(guò)薄膜沉(chén)积工艺(yì)步(bù)骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未(wèi)来可(kě)能会更深的孔或者沟槽(cáo)，催生更多(duō)设备(bèi)需求。据东京电(diàn)子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限制名(míng)单，设(shè)备国产化进(jìn)程加速(sù)，看好(hǎo)拓荆科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相关(guān)公司份额提升，以及存(cún)储业务(wù)占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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