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　　美(měi)光(guāng)公司在华销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前，网络安全审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司产品(pǐn)存在较严重网络(luò)安全(quán)问题(tí)隐患，对(duì)我国关键信息基础设施供应(yīng)链造成重大安全(quán)风险，影响我(wǒ)国(guó)国家安(ān)全。为此，网(wǎng)络(luò)安全审查办(bàn)公室(shì)依(yī)法作出不(bù)予通过网络安全审查(chá)的结论(lùn)。按照《网络安全法》等法律(lǜ)法规，我国内关键(jiàn)信息(xī)基础设施的(de)运营者应停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题(tí)危害国(guó)家关键信(xìn)息基础(chǔ)设施安(ān)全(quán)，是(shì)维护国家安全的必(bì)要410开头的身份证是哪里的？ 410开头的身份证号码是河南省吗措施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规要(yào)求(qiú)，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文(wén)称，为保障关键信(xìn)息基础设施供应链(liàn)安全，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华410开头的身份证是哪里的？ 410开头的身份证号码是河南省吗人民共和国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网(wǎng)络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公(gōng)室(shì)按照《网络安全审查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产品(pǐn)实施网(wǎng)络安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自(zì)中(zhōng)国市场收入从(cóng)此前高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年约11％。根据市(shì)场(chǎng)咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠(kǎi)侠、西部数据(jù)、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内(nèi)存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江波(bō)龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司披露过美光等国际存储厂商为(wèi)公司供应商。

　　美光在江(jiāng)波龙(lóng)采购占比已经显著下(xià)降(jiàng)，至少(shǎo)已经(jīng)不是主(zhǔ)要大供应(yīng)商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列(liè)江波龙(lóng)第一大(dà)存(cún)储晶圆供应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一(yī)大、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存(cún)储产(chǎn)业(yè)链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示(shì)，江波龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存(cún)储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定性，巩(gǒng)固公司在(zài)下游(yóu)市(shì)场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存(cún)储晶圆原厂武汉(hàn)长江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受(shòu)到限制，或将导致下游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内长江(jiāng)存储、长鑫存(cún)储(chǔ)等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器的生产已经演(yǎn)进(jìn)到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的(de)结构(gòu)转变使刻(kè)蚀和薄膜成为最关(guān)键、最大量的加工(gōng)设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同(tóng)时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能(néng)会更(gèng)深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉(chén)积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自长江存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名(míng)单，设(shè)备国产(chǎn)化进(jìn)程加(jiā)速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关公司份额提升(shēng)，以(yǐ)及存储业务(wù)占比(bǐ)较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。

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