大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司在华销售的产品(pǐn)未通过(guò)网络安全审查

　　据网信办消息，日前(qián)，网(wǎng)络(luò)安全审查(chá)办公室依法对美光(guāng)公司在华销售产品进(jìn)行了网络安全审查(chá)。

　　审(shěn)查发现，美光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患(huàn)，对我(wǒ)国关(guān)键信息(xī)基础(chǔ)设施供应链(liàn)造(zào)成重大安全风险(xiǎn)，影响我国国家安全。为此，网络安全审查(chá)办公室依法(fǎ)作出不予(yǔ)通(tōng)过网络安全审查的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应停止采购美(měi)光(guāng)公司(sī)产(chǎn)品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信息基础设(shè)施安全，是(shì)维护国(guó)家安全的必要措施。中国(guó)坚定推进高水平(píng)对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规(guī)要求，欢迎各国企业、各类平台产品服务进入中中国所有省份的占地面积是多少平方千米，中国所有省份占地面积排名国市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称，为(wèi)保障关键信(xìn)息基(jī)础设施(shī)供(gōng)应链安全，防范产品问题隐患造成网络安全(quán)风险，维护国家安全(quán)，依据《中华(huá)人(rén)民共和国(guó)国家安(ān)全法》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光公司(sī)（Micron）在华销售的(de)产品实施网络安(ān)全(quán)审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的存储芯(xīn)片行业龙(lóng)头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据(jù)市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子(zi)、 铠侠(xiá)、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash 中国所有省份的占地面积是多少平方千米，中国所有省份占地面积排名（闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电(diàn)子、 SK 海力士、美光在全(quán)球(qiú) DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司(sī)中，江波龙、佰中国所有省份的占地面积是多少平方千米，中国所有省份占地面积排名维存储等公司披露过美光(guāng)等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波(bō)龙采购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是(shì)主要大(dà)供应商。

　　公(gōng)告显示(shì)， 2021年美光位列江波(bō)龙第一大存(cún)储晶圆供应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波(bō)龙第一大、第二大和第三(sān)大供应(yīng)商采购金(jīn)额占比(bǐ)分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛(fàn)合作。2022年年(nián)报显示，江波龙与三星、美光、西部(bù)数据等主要存(cún)储(chǔ)晶圆原厂(chǎng)签署了长期(qī)合约，确保存(cún)储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩固公(gōng)司在(zài)下游市场的供应优势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂武汉(hàn)长(zhǎng)江存储、合(hé)肥长鑫保持良(liáng)好(hǎo)的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美(měi)光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或将(jiāng)导致下游客户(hù)转而采(cǎi)购国外三星、 SK海力士，国内长江存储(chǔ)、长鑫存储等竞对(duì)产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储器的(de)生产已(yǐ)经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时(shí)刻蚀目前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催(cuī)生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀(shí)占3D NAND产线资本开支(zhī)合计为(wèi)75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限(xiàn)制名(míng)单(dān)，设备(bèi)国产化进程加速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关(guān)公(gōng)司(sī)份额提升，以及(jí)存储(chǔ)业务(wù)占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 中国所有省份的占地面积是多少平方千米，中国所有省份占地面积排名