大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络安全审(shěn)查。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品(pǐn)存在较严(yán)重(zhòng)网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我(wǒ)国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应链造(zào)成重大安全风险，影(yǐng)响我国国(guó)家安全。为此，网络安全审查办公(gōng)室(shì)依法作出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查的结论。按(àn)照(zhào)《网(wǎng)络安全法》等法(fǎ)律法(fǎ)规，我国内关键信(xìn)息基(jī)础设施的(de)运营者应停止采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次对美光公(gōng)司产品进行网络安全(quán)审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基(jī)础设施安全，是维护国家(jiā)安全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外开放(fàng)，只要遵守中国法(fǎ)律(lǜ)法(fǎ)规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业、各类平台(tái)产品服务进入中(zhōng)国市(shì)场。

　　3月31日(rì)，中(zhōng)国网信网发文称，为保(bǎo)障关(guān)键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范(fàn)产品问题隐患造成(chéng)网络安全风(fēng)险(xiǎn)，维护国(guó)家安全，依据《中华人民共和国(guó)国家安全(quán)法》《中华(huá)人民共和(hé)国网(wǎng)络安全法(fǎ)》，网络安全审查办(bàn)公室按照《网(wǎng)络安全审(shěn)查(chá)办(bàn)法》，对(duì)美光公司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ānarea可数吗英语翻译，area什么时候可数什么时候不可数)全审查。

　　美光是美(měi)国(guó)的(de)存储(chǔ)芯(xīn)片行业(yè)龙头，也是(shì)全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年收入来(lái)自中国市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市(shì)场份额约为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司披露过美光等国际存(cún)储(chǔ)厂商为(wèi)公司(sī)供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比(bǐ)已经显著下降，至少已经不(bù)是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙(lóng)第(dì)一大存储晶圆(yuán)供应商，采(cǎi)购(gòu)约31亿元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波龙(lóng)第一大、第(dì)二大和第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占(zhàn)比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产业链(liàn)上下游建立(lì)国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂签署了长(zhǎng)期合(hé)约(area可数吗英语翻译，area什么时候可数什么时候不可数yuē)，确(què)保存(cún)储晶(jīng)圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固(gù)公司在(zài)下游市场的供应优势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存(cún)储(chǔ)晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好的合(hé)作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中国区销售受(shòu)到(dào)限制(zhì)，或将导(dǎo)致下游客户(hù)转而采购国外三星(xīng)、 SK海力士(shì)，国内长江存(cún)储(chǔ)、长鑫存(cún)储等竞对产(chǎn)品(pǐn)

　　分(fēn)析称，长存、长鑫(xīn)的上(shàng)游设备(bèi)厂或(huò)从(cóng)中受益。存储器的生产已经(jīng)演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现(xiàn)在已(yǐ)经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维(wéi)的(de)结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大(dà)量(liàng)的加(jiā)工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步(bù)骤(zhòu)，同时刻(kè)蚀目前前沿要刻(kè)到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔或者沟槽，催生更(gèng)多设备需求(qiú)。据(jù)东(dōng)京电子披露(lù)，薄膜沉积设(shè)备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计(jì)为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)被加入美国限制(zhì)名单，设备国产化(huà)进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美上海（清洗）等收(shōu)入增长。

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