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　　美光公司在(zài)华(huá)销售的产品未通过(guò)网络(luò)安全审查

　　据网(wǎng)信办消(xiāo)息，日前，网络安全审查(chá)办公室依法对(duì)美光公(gōng)司在华销售产品进行了网(wǎng)络安全(quán)审查。

　　审查(chá)发现，美(měi)光公司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题(tí)隐患，对我国关键信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成(chéng)重(zhòng)大安(ān)全(quán)风险(xiǎn)，影响(xiǎng)我国国家安全(quán)。为此，网络安全(quán)审查办公室依法作出(chū)不予通过网络(luò)安全(quán)审查的结论。按照《网络安全法(fǎ)》等(děng)法律国际歌的作者是谁哪国人，国际歌作者是哪个国家的人法规，我国内关键信息基础设施的运营(yíng)者应停止(zhǐ)采(cǎi)购(gòu)美光公司产品。

　　此次对美光公司产品进行网络安全(quán)审查，目的是(shì)防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题危害国家关键信息基础设施安全，是维护国家安(ān)全的必要措施。中国坚国际歌的作者是谁哪国人，国际歌作者是哪个国家的人定推进高(gāo)水(shuǐ)平对外(wài)开放(fàng)，只要遵守(shǒu)中国法律法规(guī)要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企(qǐ)业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月31日，中国网信网发文称，为保障关键信息(xī)基础设施供应链安全(quán)，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患(huàn)造成网(wǎng)络安全风(fēng)险，维(wéi)护国家安全，依据《中华人民共和(hé)国国家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照(zhào)《网络安全审查(chá)办法》，对美(měi)光公司（Micron）在华销(xiāo)售的产品实施网络安全审查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存储芯片巨头之一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场收入(rù)从此前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数(shù)据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份(fèn)额约(yuē)为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江(jiāng)波(bō)龙、佰维存储等公(gōng)司披(pī)露过美光(guāng)等(děng)国际存储(chǔ)厂(chǎng)商(shāng)为公司供应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购(gòu)占比已经(jīng)显(xiǎn)著下(xià)降，至少已(yǐ)经不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位列(liè)江波龙第(dì)一(yī)大存(cún)储晶圆供(gōng)应商，采(cǎi)购(gòu)约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波(bō)龙(lóng)第(dì)一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金(jīn)额(é)占比分别是(shì)26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存(cún)储产业链上下游建立国(guó)内外广(guǎng)泛合作。2022年年(nián)报显(xiǎn)示，江波龙与三星、美光(guāng)、西部数据等主要(yào)存储(chǔ)晶圆原厂签署了(le)长期(qī)合约，确保(bǎo)存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市场的供应(yīng)优势(shì)，公司(sī)也与(yǔ)国(guó)内国产存(cún)储晶圆原(yuán)厂(chǎng)武(wǔ)汉(hàn)长江存储(chǔ)、合肥长鑫(xīn)保持(chí)良好(hǎo)的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导(dǎo)致(zhì)下游客(kè)户转而采购国外(wài)三星、 SK海力士，国内(nèi)长(zhǎng)江存(cún)储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的(de)上(shàng)游设(shè)备厂或从中受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代，2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和(hé)薄膜成为最关键、最大(dà)量的(de)加工设(shè)备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄(báo)膜沉积工(gōng)艺步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深(shēn)的(de)孔或者沟(gōu)槽(cáo)，催生更多设备需求(qiú)。据东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长江存储被加入美国限制名单，设备国(guó)产化(huà)进程加速(sù)，看好拓(tuò)荆科(kē)技(jì)（薄膜沉积）等相关公司份额提(tí)升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收入增长。

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