大家(jiā)好(hǎo)，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公司在华销(xiāo)售(shòu)的产品未通(tōng)过网(wǎng)络安(ān)全审查

　　据(jù)网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公(gōng)室(shì)依(yī)法(fǎ)对美光公司在华销售产品(pǐn)进(jìn)行(xíng)了(le)网络安全审查。

　　审查(chá)发(fā)现(xiàn)，美(měi)光公(gōng)司产品存(cún)在(zài)较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信(xìn)息基础设施供(gōng)应链造成重大安全风险，影响(xiǎng)我国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室(shì)依(yī)法作出不予通过(guò)网络(luò)安(ān)全审查的结论。按(àn)照(zhào)《网络安全(quán)法》等(děng)法律法(fǎ)规，我国内关键信息(xī)基(jī)础设(shè)施的(de)运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此(cǐ)次对美光公司产品进行网络(luò)安全审查，目(mù)的是防范产品网络安全问题危害国家关键信息基础设施安(ān)全，是维护(hù)国(guó)家安全的必要措(cuò)施。中(zhōng)国坚定推进高水平对外开放，只要遵守中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产(chǎn)品服(fú)务进入中国市场。

　　3月31日(rì)，中国网信网发文称，为保障关键信(xìn)息基(jī)础(chǔ)设施供应链安全(quán)，防(fáng)范(fàn)产(chǎn)品问题隐患造成网络安全(quán)风险(xiǎn)，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国(guó)家(jiā)安全法》《中华人民共和国(guó)网络安全(quán)法(fǎ)》，网络安全审查(chá)办(bàn)公室按照《网络(luò)安(ān)全审查(chá)办法》，对美(měi)光公(gōng)司(sī)（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全(quán)审查(chá)。

　　美(měi)光是(shì)美(měi)国的存(cún)储芯片行业(yè)龙头(tóu)，也是全(quán)球(qiú)存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自(zì)中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额(é)约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美(měi)光(guāng)在全球 DRAM （内存(cún)）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市(shì)公司中，江(jiāng)波龙、佰维存储等公司(sī)披露过美光(guāng)等(děng)国(guó)际存储厂商为公司供(gōng)应(yīng)商。

　　美光在江波龙采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至少已经不是(shì)主要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大和(hé)第三大供(gōng)应商采购金(jīn)额占比分别是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报(bào)显示，江波(bō)龙与三(sān)星、美光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主要(yào)存储晶圆(yuán)原(yuán)厂(chǎng)签署了长期合约，确(què)保存储晶圆供应(yīng)的稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场俄罗斯妹子很容易追吗，俄罗斯的妹子好追吗的供应优势，公司(sī)也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作(zuò)。

　　有券(quàn)商(shāng)此(cǐ)前就分(fēn)析(xī)，如(rú)果美光在中国区(qū)销售(shòu)受(shòu)到限制，或将(jiāng)导致下游客户转而采购(gòu)国外三星、 SK海力士(shì)，国内长江存储、长鑫存储(chǔ)等竞对产品(pǐn)

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中受益。存储器(qì)的生产(chǎn)已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入(rù)3D NAND时代(dài)，2 维到(dào)3维(wéi)的结(jié)构转变使刻蚀和(hé)薄膜成为(wèi)最关键(jiàn)、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺步骤(zhòu)，同时(shí)刻蚀(shí)目(mù)前(qián)前(qián)沿要刻到 60：1的深孔(kǒng)，未来可能会更深的(de)孔或(huò)者沟槽(cáo)，催生更多设备需求。据东(dōng)京电子披露，薄膜沉积(jī)设备(bèi)及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为(wèi)75％。自长江存(cún)储被(bèi)加入美国限制(zhì)名(míng)单(dān)，设备国产(chǎn)化进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄膜沉(chén)积(jī)）等相关公司(sī)份额提升(shēng)，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收(shōu)入(rù)增长。

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