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　　美光公司(sī)在华(huá)销售的(de)产品未(wèi)通过网络(luò)安全(quán)审查

　　据网信办(bàn)消息，日前(qián)，网络安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产品进行了网络安全审(shěn)查(chá)。

　　审查发现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐(yǐn)患(huàn)，对(duì)我国关键(jiàn)信息基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风(fēng)险，影响我国国家安全(quán)。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我国(guó)内(nèi)关键信(xìn)息基础设施(shī)的(de)运营者应停止采购美(měi)光公司产品。

　　此次对美光公司(sī)产品(pǐn)进行(xíng)网络(luò)安全审查，目的是防范产品网络安全问题危害国家(jiā)关(guān)键(jiàn)信息基础(chǔ)设施(shī)安全，是(shì)维护国家(jiā)安全(quán)的必要措施(shī)。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高(gāo)水平对外开放，只要遵(zūn)守中(zhōng)国(guó)法律(lǜ)法规要求(qiú)，欢迎各国企(qǐ)业、各(gè)类(lèi)平(píng)台产品服务(wù)进入中国(guó)市场。

　　3月31日(rì)，中国网信(xìn)网发(fā)文称，为保障关键信(xìn)息基础设(shè)施供应链安全，防范产品问题(tí)隐患(huàn)造成网(wǎng)络安全风险，维护国家安(ān)全，依据(jù)《中华人(rén)民(mín)共和(hé)国国(guó)家安全法(fǎ)》《中华人民共和国网络安全法》，网络安全(quán)审(shěn)查办公室按照(zhào)《网络安全审查办法》，对(duì)美光公(gōng)司(sī)（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查。

　　美光是(shì)美(měi)国的(de)存储芯片行业龙头，也是全球(qiú)存储芯片巨头(tóu)之一，2022年(nián)收入来自中国市场收(shōu)入从此前高峰(fēng)57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年(nián)三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士(shì)、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内(nèi)存(cún)）市场份额(é)约为 94.35％。

　　A股上市公司中(zhōng)，江波(bō)龙、佰维存储等(děng)公司(sī)披露过美光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙(lóng)采(cǎi)购(gòu)占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义大(dà)供应商。

　　公告显示， 2021年(nián)美光(guāng)位列(liè)江波龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购(gòu)约31亿元(yuán)，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供(gōng)应商采购金额占比分别是(武昌起义的历史意义是什么，辛亥革命武昌起义的历史意义shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下游建立国内外(wài)广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数据(jù)等主要存储(chǔ)晶(jīng)圆原厂(chǎng)签署(shǔ)了长期合约，确保(bǎo)存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游市场的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公司也与国内国产(chǎn)存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫(xīn)保持良好的合作。

　　有券商(shāng)此前就分析，如果美光在中(zhōng)国区销售受到限制，或将导致下游客户转而(ér)采(cǎi)购国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长江存(cún)储(chǔ)、长(zhǎng)鑫存(cún)储等竞(jìng)对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设(shè)备(bèi)厂(chǎng)或(huò)从中受益(yì)。存储器(qì)的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外(wài)NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最关键(jiàn)、最大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层均需要经(jīng)过(guò)薄膜沉积工艺步骤(zhòu)，同(tóng)时(shí)刻蚀目前前(qián)沿要刻(kè)到 60：1的深孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生(shēng)更多(duō)设备需(xū)求。据东京电(diàn)子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本开支合计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被加(jiā)入美国限制名单，设备国产化进程(chéng)加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科(kē)技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额(é)提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占(zhàn)比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入增长(zhǎng)。

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