大家好，来看(kàn)一则(zé)突发消息。

　　美光公司在华销售的产品未(wèi)通过网络安全审查

　　据网(wǎng)信办(bàn)消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司(sī)在华销(xiāo)售产品进行(xíng)了网(wǎng)络(luò)安全(quán)审查。

　　审查发现，美(měi)光公司(sī)产品存在较(jiào)严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成重大安(ān)全风险，影响我国(guó)国家安全。为(wèi)此，网(wǎng)络安全审查办公室依法作出不予(yǔ)通过网络安全审(shěn)查的结论(lùn)。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法(fǎ)规(guī)，我国内(nèi)关键信息基(jī)础设(shè)施(shī)的运营者应(yīng)停止采购美光公司产品。

　　此次对美(měi)光公(gōng)司产(chǎn)品进行网络安全审查，目(mù)的是防范产品网络(luò)安全问题危害国家关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是(shì)维护国家安(ān)全的必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定(dìng)推进高水平对外开放，只要遵守中国法律法规要求(qiú)，欢迎(yíng)各国企业(yè)、各类平台产品服务进入(rù)中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网(wǎng)信网(wǎng)发文称(chēng)，为保障关键信息(xī)基础设施(shī)供(gōng)应链安全(quán)，防范产品(pǐn)问题隐患造成(chéng)网络安全(quán)风险，维(wéi)护(hù)国家(jiā)安(ān)全(quán)，依据《中(zhōng)华(huá)人民共和(hé)国国(guó)家安(ān)全法(fǎ)》《中华(huá)人民共和国网络安全法》，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办(bàn)公室按照《网络安全审查办法》，对美光(guāng)公(gōng)司（Micron）在华销售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美(měi)光是美国的(de)存(cún)储芯片行业龙(lóng)头，也是全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨头之(zhī)一，2022年收入(rù)来自中(zhōng)国市场收入从此前高峰57％降至2022年(nián)约(yuē)11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力(lì)士、美(měi)光、Solidigm 在(zài)全球 N1984年出生今年多大年龄，1984年出生今年多大2022AND Flash （闪存(cún)）市场份(fèn)额约为 96.76％，三星(xīng)电子(zi)、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股(gǔ)上(shàng)市公司(sī)中，江波龙(lóng)、佰维存储等公(gōng)司披露过美光等(děng)国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙采购占(zhàn)比(bǐ)已经显(xiǎn)著下降，至(zhì)少已经不是主(zhǔ)要大供应商。

　　公告显示， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商(shāng)，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产(chǎn)业(yè)链上下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报(bào)显示，江(jiāng)波(bō)龙与三星、美(měi)光(guāng)、西部(bù)数据等(děng)主(zhǔ)要存储晶(jīng)圆原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约，确保存储晶圆供应的(de)稳定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场的(de)供应优(yōu)势，公司也与国内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保(bǎo)持良好的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销售受到(dào)限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客(kè)户转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析(xī)称(chēng)，长(zhǎng)存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备(bèi)厂或从中受益。存储器(qì)的生产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已(yǐ)经(jīng)进入3D NAND时(shí)代，2 维到(dào)3维的(de)结构转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经(jīng)过薄膜沉积(jī)工艺(yì)步骤，同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或(huò)者(zhě)沟槽，催生(shēng)更多设(shè)备(bèi)需求(qiú)。据东京电子披露，薄(báo)膜沉(chén)积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为75％。自长江存储被(bèi)加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)1984年出生今年多大年龄，1984年出生今年多大2022，设(shè)备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司(sī)份额提(tí)升，以及存储业(yè)务占比较高的华海(hǎi)清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗）等收(shōu)入(rù)增长。

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