大家好，来看一则突发消息(xī)。

　1克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CT　美光公司(sī)在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日前，网络(luò)安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网络(luò)安(ān)全审查。

　　审查发(fā)现，美光公(gōng)司产(chǎn)品存在较严重网(wǎng)络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息(xī)基础设施(shī)供应(yīng)链造(zào)成重(zhòng)大安全风险，影响我国(guó)国家(jiā)安全(quán)。为此，网络安全审查办(bàn)公室(shì)依法作出(chū)不予通(tōng)过网络安全审查(chá)的结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础(chǔ)设施的运营者应停止采(cǎi)购美光公(gōng)司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公司(sī)产品进行网络安全审查(chá)，目的是防范产品(pǐn)网络安全问题危害(hài)国家关键信息基(jī)础设施(shī)安(ān)全，是维(wéi)护国家安全的(de)必要(yào)措施。中(zhōng)国坚定推进(jìn)高(gāo)水平(píng)对外(wài)开放，只(zhǐ)要(yào)遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类(lèi)平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国网(wǎng)信网发文称，为保障关(guān)键信(xìn)息(xī)基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链安(ān)全，防范产品(pǐn)问题(tí)隐患造(zào)成网络安全(quán)风险，维护国家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家安全法》《中华(huá)人民(mín)共和国(guó)网(wǎng)络(luò)安全法(fǎ)》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在(zài)华销售的产(chǎn)品实施(shī)网(wǎng)络安(ān)全审查(chá)。

　　美光是美国(guó)的存(cún)储芯片(piàn)行(xíng)业(yè)龙(lóng)头，也是全(quán)球存储芯片巨头之(zhī)一，2022年收入来自中(zhōng)国(guó)市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场(chǎng)咨(zī)询机构 Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年(nián)三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海(hǎi)力士、美光在(zài)全球 DRAM （内存）市场份(fèn)额(é)约为(wèi) 94.35％。

　　A股(gǔ)上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公(gōng)司披露过美光等国际(jì)存(cún)储厂(chǎng)商为(wèi)公司供应商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占(zhàn)比已(yǐ)经显著下(xià)降(jiàng)，至(zhì)少已经不是主要大供应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年(nián)美光位列江波龙(lóng)第一大存(cún)储(chǔ)晶圆供应商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第(dì)一大、第二(èr)大和第三(sān)大供应商采购(gòu)金额占比(bǐ)分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目(mù)前江波龙已经在存储产(chǎn)业链上下游建立国内外广泛合作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西(xī)部数据等主要(yào)存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确(què)保存储晶圆供应的稳定(dìng)性，巩固公司在下(xià)游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也(yě)与国内(nèi)国产存储晶圆原厂武汉长(zhǎng)江存储、合肥长(zhǎng)鑫保(bǎo)持良好的合作。

　　有券商此前(qián)就分析(xī)，如果美光在中(zhōng)国(guó)区(qū)销售受到限(xiàn)制(zhì)，或将导致下(xià)游客户转而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国内(nèi)长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上(shàng)游(yóu)设备厂或从中受益。存储器的生(shēng)产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在已(yǐ)经进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构(gòu)转变(biàn)使刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀(shí)目前前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来可能会更(gèng)深(shēn)的孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需(xū)求。据东(dōng)京电子披(pī)露(lù)，薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资本(běn)开1克拉等于多少毫克 1克拉等于多少CT支合计为75％。自长江(jiāng)存储被加入美国限(xiàn)制(zhì)名(míng)单，设备国产化进程加(jiā)速，看好拓荆科技（薄膜沉积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占比较高(gāo)的华海清科（CMP）、盛美上(shàng)海(hǎi)（清洗）等(děng)收入增长。

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