大(dà)家好，来看一则突(tū)发消息(xī)。

　　美光公(gōng)司在(zài)华销(xiāo)售的产品未通过网络安全(quán)审查(chá)

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查(chá)办公室(shì)依法对美光(guāng)公司在华销售产品进行了(le)网络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发(fā)现，美光公(gōng)司产品存在(zài)较严重网络(luò)安全问题隐患，对我国关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设(shè)施供应(yīng)链造成重大安全风(fēng)险，影(yǐng)响我国(guó)国家安(ān)全。为此many的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级，网络安全审查(chá)办公室依法作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审查的结论。按照《网络(luò)安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应(yīng)停止采购美光(guāng)公司产品。

　　此次对美光(guāng)公(gōng)司产品进行网(wǎng)络安全审查，目的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家(jiā)关键信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的必要措(cuò)施(shī)。中国坚(jiān)定推进高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵守中国法律(lǜ)法规要求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台(tái)产品服(fú)务进(jìn)入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障关键信(xìn)息(xī)基础(chǔ)设施供应链安全，防(fáng)范产品问题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安(ān)全风险，维(wéi)护国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国家(jiā)安全法(fǎ)》《中华(huá)人(rén)民共和国网络(luò)安全法》，网络安(ān)全审查办公室按(àn)照《网络安全审(shěn)查办法》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实(shí)施网络安全审查(chá)。

　　美光是(shì)美国的(de)存储芯(xīn)片(piàn)行业(yè)龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入来(lái)自中国(guó)市场收入从此(cǐ)前高峰57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场咨(zī)询(xún)机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠(kǎi)侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存储(chǔ)等公司(sī)披露过美光等国际(jì)存储厂(chǎng)商为公司供应(yīng)商。

　　美光在(zài)江波龙(lóng)采购占比已(yǐ)经显著下(xià)降，至(zhì)少已经不是主要(yào)大供应商(shāng)。

　　公告显示， 2021年美光位列江(jiāng)波龙第(dì)一(yī)大存储晶圆供应商(shāng)，采(cǎi)购约31亿元(yuánmany的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级)，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二大和(hé)第三大供应(yīng)商(shāng)采购金额(é)占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经(jīng)在存储产业链上(shàng)下游建立(lì)国内(nèi)外广泛合(hé)作。2022年(nián)年报显示，江波龙与三星、美(měi)光、西部(bù)数据(jù)等主要存储晶圆原厂(chǎng)签署了长期合(hé)约，确保(bǎo)存储(chǔ)晶圆供(gōng)应的(de)稳定性，巩固公(gōng)司在下游(yóu)市场的供(gōng)应优势，公司也与国内国产存储晶圆(yuán)原厂(chǎng)武(wǔ)汉长江存(cún)储、合(hé)肥长鑫保持(chí)良(liáng)好的合(hé)作。

　　有券商此前就分析，如(rú)果美光(guāng)在中国区销售受到(dào)限制，或将导(dǎo)致下游客户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海(hǎi)力士，国(guó)内长江存(cún)储、长鑫存(cún)储等(děng)竞对产品

　　分(fēn)析称(chēng)，长存、长鑫的(de)上游(yóu)设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时代(dài)，2 维到3维的结构转变使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄膜沉(chén)积工艺(yì)步骤，同时刻(kè)蚀目前(qián)前沿要(yào)刻(kè)到 60：1的深孔，未来可能(néng)会更深的孔或者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入美(měi)国限(xiàn)制名单(dān)，设(shè)备国(guó)产化进程(chéng)加(jiā)速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等(děng)收入增长。

未经允许不得转载：橘子百科-橘子都知道 many的比较级和最高级怎么写，much的比较级和最高级