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先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些 半导体突发!中国出手:停止采购!

  大家好,来看(kàn)一(yī)则突(tū)发消息。

  美光(guāng)公(gōng)司在华销售(shòu)的产品(pǐn)未通过网络(luò)安(ān)全审(shěn)查

  据网(wǎng)信(xìn)办消息,日前(qián),网(wǎng)络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美光公(gōng)司在华销售产品进行了网络安全审查。

  审查发现,美光公司产品存(cún)在较严重网(wǎng)络安全(quán)问题隐患,对(duì)我国关(guān)键信息基础设施供应链(liàn)造(zào)成重大安(ān)全风险,影(yǐng)响我国国家安全。为(wèi)此,网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出不予通过网络安(ān)全审查(chá)的结论。按照(zhào)《网络(luò)安全法(fǎ)》等法律法规(guī),我国内关键信息基础设施的运营者应停(tíng)止采购美光公(gōng)司产品。

  此次对美(měi)光(guāng)公司产品进行网络安(ān)全审查,目的是防范产品网络(luò)安(ān)全问题危(wēi)害国家关键(jiàn)信(xìn)息基础设施安全,是维护国家安全的必要措施。中国坚定推进高(gāo)水平对外开放,只要遵守中国(guó)法律法规要求,欢迎各国企业、各类平台产(chǎn)品(pǐn)服务进(jìn)入中国市(shì)场。

先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些>  半导(dǎo)体突发!中国出(chū)手:停止采购!

  3月31日,中国网信网发文称(chēng),为保障关键信息基础设施(shī)供应链安(ān)全,防范产品问题隐患(huàn)造成网(wǎng)络(luò)安全风险,维护国家安全,依据《中华先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些人民共(gòng)和国国家(jiā)安(ān)全法》《中华人民(mín)共和国(guó)网络安全法(fǎ)》,网络(luò)安(ān)全审查(chá)办公室按照《网络安全(quán)审查办法》,对美光(guāng)公司(sī)(Micron)在(zài)华销售的产品实施网络安(ān)全审查。

  半导体突发(fā)!中(zhōng)国出手:停止采购(gòu)!

  美(měi)光是美国的(de)存储芯片行(xíng)业龙头,也是(shì)全球(qiú)存(cún)储芯片(piàn)巨头之一(yī),2022年收入来自中国市场收(shōu)入从(cóng)此前(qián)高峰57%降至2022年(nián)约11%。根据市(shì)场咨询(xún)机构 Omdia(IHS Markit)统计,2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash (闪存(cún))市场份额约(yuē)为 96.76%,三(sān)星电子、 SK 海力士、美光在(zài)全球(qiú) DRAM (内(nèi)存)市场份额(é)约为 94.35%。

  A股上市(shì)公司中(zhōng),江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露(lù)过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应商。

  美光在江波龙采购占(zhàn)比已经显著下降(jiàng),至少已经不是主要(yào)大(dà)供应商(shāng)。

  公告显(xiǎn)示, 2021年(nián)美(měi)光(guāng)位列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商,采(cǎi)购(gòu)约31亿元,占(zhàn)比33.52%;2022年,江波龙(lóng)第一(yī)大、第二大和第(dì)三大(dà)供(gōng)应商采(cǎi)购金额占比分别(bié)是(shì)26.28%、22.85%和5.76%。

  目前江波(bō)龙(lóng)已经在存储产(chǎn)业链上下游(yóu)建立国内外广泛合作。2022年年报显示,江波龙与三(sān)星(xīng)、美光、西部数据(jù)等主(zhǔ)要存储晶圆原厂(chǎng)签(qiān)署(shǔ)了长(zhǎng)期合约,确(què)保存储晶圆(yuán)供应的稳定(dìng)性,巩固公司在下游市场的供应优势(shì),公司也与国(guó)内国产存储晶圆原厂(chǎng)武汉长江(jiāng)存储、合肥长鑫保持(chí)良好的合作。

  有(yǒu)券商此前就分析,如果美(měi)光(guāng)在(zài)中国区销售受(shòu)到限制,或将先中间后两边的字有哪些 先外后内的字有哪些导致下游客户转而采(cǎi)购(gòu)国外三星、 SK海(hǎi)力士(shì),国(guó)内(nèi)长江存(cún)储、长鑫存储等竞(jìng)对产品

  分析称,长存、长(zhǎng)鑫(xīn)的上游设备厂或从中(zhōng)受益。存储器的生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚(shèn)至1Znm的工(gōng)艺(yì)。另外NAND Flash现在已经(jīng)进入3D NAND时(shí)代,2 维到3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使刻蚀和薄(báo)膜成为最关键、最大量的加工设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积工艺步骤,同时刻蚀目前前沿要(yào)刻到 60:1的(de)深孔,未来可能会更(gèng)深的孔或者沟(gōu)槽,催生更多设(shè)备需求。据东京(jīng)电子披(pī)露,薄(báo)膜沉积设备(bèi)及刻(kè)蚀占3D NAND产(chǎn)线(xiàn)资本开支合计(jì)为75%。自长江存(cún)储(chǔ)被加(jiā)入美国限制名单,设备(bèi)国产(chǎn)化进程(chéng)加(jiā)速,看好拓荆科(kē)技(薄(báo)膜(mó)沉(chén)积)等相关公司份额提升,以及存储(chǔ)业(yè)务占比较(jiào)高的华海(hǎi)清科(CMP)、盛(shèng)美上海(清(qīng)洗)等收入增长。

 

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