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　　美光公司在华销售的产(chǎn)品未(wèi)通过网(wǎng)络安全审查

　　据网信办消息(xī)，日(rì)前，网络(luò)安(ān)全审查办公室依法对美光(guāng)公(gōng)司在(zài)华销售产品进行(xíng)了网络安全审查。

　　审查发现，美光公司(sī)产品存在(zài)较严(yán)重网络安全(quán)问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链(liàn)造成重大安全风(fēng)险，影响我(wǒ)国国家(jiā)安全(quán)。为此，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室(shì)依法作出不予(yǔ)通(tōng)过(guò)网络安全审(shěn)查的(de)结论(lùn)。按照《网络安全法(fǎ)》等法律法规，我国内关(guān)键信息基础设施的运(yùn)营者应停(tíng)止(zhǐ)采购(gòu)美(měi)光(guāng)公司(sī)产品。

　　此次对美光公司产品进(jìn)行网络安(ān)全审查，目的是(shì)防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全，是维护国家安全(quán)的必要措施(shī)。中国坚定推进高水平对外开(kāi)放，只要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业、各类平台产品(pǐn)服(fú)务进(jìn)入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国网信网伊拉克是不是被灭国了发文称，为保障关(guān)键(jiàn)信(xìn)息基础(伊拉克是不是被灭国了chǔ)设施(shī)供应链安全(quán)，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安全风(fēng)险，维护国(guó)家安全，依据(jù)《中华人民共和国国家(jiā)安全(quán)法》《中(zhōng)华(huá)人民共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行(xíng)业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头(tóu)之一(yī)，2022年(nián)收入来自中国市场收入从(cóng)此前高峰57％降(jiàng)至2022年约11％。根据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星电(diàn)子、 铠(kǎi)侠(xiá)、西部(bù)数(shù)据(jù)、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市(shì)场(chǎng)份(fèn)额(é)约为 96.76％，三(sān)星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内存）市(shì)场(chǎng)份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市(shì)公司(sī)中，江(jiāng)波龙、佰维存(cún)储等公司披露过美光等国(guó)际存储(chǔ)厂商为(wèi)公司供(gōng)应商。

　　美(měi)光(guāng)在江(jiāng)波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不(bù)是主要大供(gōng)应商。

　　公告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光(guāng)位列江波龙第(dì)一大存储晶圆供应商，采购约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大(dà)供应商采购金额占比(bǐ)分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江(jiāng)波龙已经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广泛合作。2022年年报显(xiǎn)示，江波龙(lóng)与三(sān)星、美光、西部(bù)数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署了长期合(hé)约，确保存储(chǔ)晶圆供(gōng)应(yīng)的稳定性，巩固公司在(zài)下(xià)游市(shì)场(chǎng)的供应优势(shì)，公司(sī)也与国内国(guó)产(chǎn)存储晶圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长(zhǎng)鑫(xīn)保持良好的合(hé)作。

　　有(yǒu)券(quàn)商此前就分析，如(rú)果美光在中国区销售受到限制，或将(jiāng)导致(zhì)下游(yóu)客户转而采购国(guó)外(wài)三星、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称(chēng)，长存、长鑫的上游设备厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器的生产已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进(jìn)入3D NAND时(shí)代(dài)，2 维(wéi)到3维的结(jié)构转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜(mó)成为最关(guān)键、最大量的加工设(shè)备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉积(jī)工(gōng)艺(yì)步骤，同(tóng)时刻蚀(shí)目前(qián)前(qián)沿要刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会更深的(de)孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设(shè)备需求(qiú)。据(jù)东京电子披露(lù)，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本(běn)开(kāi)支合计为75％。自长江(jiāng)存储(chǔ)被(bèi)加入美国限(xiàn)制(zhì)名单，设备国产化进程加速(sù)，看好拓荆科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储业务占(zhàn)比(bǐ)较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗）等收(shōu)入(rù)增(zēng)长(zhǎng)。

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