大家好，来看一则突发消息。

　　美光(guāng)公(gōng)司(sī)在华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通过网(wǎng)络安全审查巴基斯坦中国人去安全吗，中国人去巴基斯坦安全么rong>

　　据网信办消息，日前，网络安全审查办(bàn)公室依(yī)法对美(měi)光公司在华销(xiāo)售产品进行了(le)网络安全审查(chá)。

　　审查发(fā)现，美(měi)光公司产品存在(zài)较严重网络安全问题隐患，对我国关键信(xìn)息基(jī)础设施供应(yīng)链造成重(zhòng)大安(ān)全风险，影响我(wǒ)国国家安全。为(wèi)此，网络(luò)安全审查办公室依法作出不予通(tōng)过网(wǎng)络(luò)安全审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施(shī)的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采(cǎi)购美光(guāng)公司产品。

　　此次(cì)对美光公司产品进(jìn)行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范(fàn)产品网络安全问题危害国家关(guān)键(jiàn)信息(xī)基础设施(shī)安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中(zhōng)国坚定推进高水(shuǐ)平对外开放，只要(yào)遵(zūn)守(shǒu)中国法律法规要求，欢迎各(gè)国企业、各类(lèi)平台产(chǎn)品服务进入中国市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信网发(fā)文称(chēng)，为保障(zhàng)关键信息基础设施(shī)供(gōng)应链安(ān)全，防(fáng)范产品问题(tí)隐患造成(chéng)网络安全风险，维(wéi)护国家安全，依据(jù)《中华人民(mín)共和国(guó)国(guó)家(jiā)安全法》《中(zhōng)华人巴基斯坦中国人去安全吗，中国人去巴基斯坦安全么民共和(hé)国(guó)网络安全法》，网络(luò)安全审查办公室(shì)按照《网络(luò)安全审(shěn)查办法(fǎ)》，对美光公司（Micron）在华销售的产(chǎn)品实施网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　美光是美国的存储(chǔ)芯(xīn)片行业龙头(tóu)，也(yě)是全球存(cún)储芯片巨头之一(yī)，2022年收入来自中国市场收入(rù)从此(cǐ)前高(gāo)峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市场咨询机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子(zi)、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在(zài)全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力(lì)士、美光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙(lóng)、佰维存(cún)储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商(shāng)。

　　美光在江波龙(lóng)采购(gòu)占比(bǐ)已(yǐ)经显著(zhù)下(xià)降，至少已经不是(shì)主要大供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光位列江波龙第一大存储(chǔ)晶圆供(gōng)应商，采购(gòu)约31亿(yì)元，占比33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二(èr)大和(hé)第三大(dà)供(gōng)应商(shāng)采购(gòu)金(jīn)额占比(bǐ)分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储(chǔ)产业链上下游建立国内外广泛合作(zuò)。2022年年报显示，江波龙与(yǔ)三星、美(měi)光、西部数据(jù)等(děng)主(zhǔ)要存(cún)储晶(jīng)圆原厂签署了(le)长期合约，确保存储晶圆供应的稳定性，巩固公司(sī)在下游(yóu)市(shì)场(chǎng)的供应优(yōu)势，公司也与国(guó)内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合(hé)肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转而采购国外三星、 SK海力士，国内长江存储、长(zhǎng)鑫(xīn)存储(chǔ)等竞对产(chǎn)品

　　分析称，长存、长鑫(xīn)的上游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器的生产已经演(yǎn)进到1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺(yì)。另外(wài)NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的结构转变使刻(kè)蚀和(hé)薄膜成为最关键(jiàn)、最大(dà)量的加工设备。3D NAND每层均(jūn)需要(yào)经过薄膜沉积(jī)工艺步骤，同时(shí)刻蚀目(mù)前(qián)前沿要刻到 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或者沟槽，催生更多设(shè)备需求。据(jù)东京电子披露，薄膜(mó)沉积设备及刻蚀占(zhàn)3D NAND产线资本(běn)开支合(hé)计为75％。自长江(jiāng)存储被加(jiā)入美国限(xiàn)制名单，设(shè)备国(guó)产(chǎn)化(huà)进程加速，看好(hǎo)拓荆(jīng)科技（薄(báo)膜沉(chén)积）等相关(guān)公司份额(é)提升(shēng)，以及存储业务占(zhàn)比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等收入增长。