大家好，来看一(yī)则(zé)突发消息。

　　美(měi)光公司(sī)在(zài)华销售的(de)产品未通过网络安全审查

　　据网信办消息，日前，网络安全(quán)审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网(wǎng)络安(ān)全审查。

　　审(shěn)查发现，美(měi)光公司产(chǎn)品存在较严重网络安(ān)全问(wèn)题(tí)隐患，对我(wǒ)国关键信息基础设施供(gōng)应链造(zào)成(chéng)重大安全风险，影响我国国家(jiā)安全。为此(cǐ)，网络安全(quán)审查办公(gōng)室依法(fǎ)作出(chū)不予通(tōng)过(guò)网络安全审查先考与显考是什么意思区别，先考与显考有何区别的(de)结论。按照(zhào)《网络安全(quán)法》等法律法规，我国(guó)内关键信息(xī)基础设施的运营者应停止采(cǎi)购(gòu)美光(guāng)公司(sī)产品。

　　此(cǐ)次对美光公(gōng)司(sī)产(chǎn)品进行网络安(ān)全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络安全问题危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是(shì)维(wéi)护国家安(ān)全的必要措施。中国(guó)坚(jiān)定推进高水(shuǐ)平(píng)对外开放，只要(yào)遵守(shǒu)中国法律法规要(yào)求，欢(huān)迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发文称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供(gōng)应链(liàn)安全，防范产品问题隐患(huàn)造成网络安全风险，维护国家安(ān)全(quán)，依据(jù)《中华人(rén)民共和国国家安全法》《中华人民共和国网络安(ān)全(quán)法》，网络安全审查(chá)办(bàn)公(gōng)室按(àn)照《网络(luò)安全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品(pǐn)实施网络(luò)安全审(shěn)查。

　　美光是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是(shì)全球(qiú)存(cún)储(chǔ)芯片巨(jù)头之一，2022年收(shōu)入来自中国市场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根据市场咨询(xún)机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据(jù)、SK 海力(lì)士、美(měi)光(guāng)、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份(fèn)额(é)约(yuē)为 96.76％，三星(xīng)电子、 SK 海力(lì)士、美(měi)光在(zài)全(quán)球 DRAM （内存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储等公司披露过美(měi)光等国际存储(chǔ)厂商为公(gōng)司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著(zhù)下(xià)降，至少(shǎo)已经不是主要大供应商。

　　公(gōng)告显(xiǎn)示， 2021年美(měi)光位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿元，占比33.52％；2022年，江波龙第一大、第二大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在存储产业链上下游建(jiàn)立国(guó)内外广泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星(xīng)、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期合约，确(què)保存储晶(jīng)圆供应的稳定性，巩固(gù)公(gōng)司在下游市场的供应优势，公司也与国内(nèi)国(guó)产(chǎn)存储晶(jīng)圆原(yuán)厂武汉长江存储(chǔ)、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国区销(xiāo)售受到限制(zhì)，或(huò)将导致下(xià)游客户(hù)转而采购(gòu)国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内长江存储、长鑫存储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的上游设(shè)备厂或从中受益。存(cún)储(chǔ)器的生(shēng)产已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工(gōng)艺。另(lìng)外NAND Flash现(xiàn)在已经进入3D NAND时代，2 维到3维的(de)结(先考与显考是什么意思区别，先考与显考有何区别jié)构转变使(shǐ)刻蚀(shí)和薄(báo)膜成为最关键、最(zuì)大量(liàng)的加工设备。3D NAND每层(céng)均需要经过薄(báo)膜沉积工艺步骤，同时刻(kè)蚀目前前沿(yán)要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能(néng)会更深的(de)孔或者沟槽(cáo)，催(cuī)生更多设备(bèi)需(xū)求。据(jù)东京电子披露，薄膜沉积(jī)设备及刻蚀(shí)占3D NAND产(chǎn)线资本开支合计为75％。自长(zhǎng)江(jiāng)存储被加入美(měi)国限制名单，设备国产化进程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提(tí)升(shēng)，以及存储(chǔ)业务占比较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清(qīng)洗(xǐ)）等收入增长(zhǎng)。

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