大家好，来(lái)看一则突发消(xiāo)息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安全审查

　　据网信(xìn)办消(xiāo)息(xī)，日(rì)前(qián)，网(wǎng)络安(ān)全审查办公室依(yī)法(fǎ)对美光公(gōng)司在华销(xiāo)售产品进行了网(wǎng)络(luò)安全审查。

　　审查发现(xiàn)，美(měi)光公司(sī)产品存在较严重网络安全问题隐患，对我国关键信息基础设施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险，影响我国国(guó)家安全(quán)。为此，网络安全审(shěn)查办公室(shì)依法作(zuò)出(chū)不予通过网络安全审(shěn)查的结论。按照(zhào)《网络(luò)安(ān)全法》等法(fǎ)律法规，我国内关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施的运(yùn)营者(zhě)应停止采购美光公司产品。

　　此次对(duì)美光公司产品进行网络安全审查(chá)，目的是(shì)防范产品网络安全问题(tí)危(wēi)害国(guó)家关(guān)键(jiàn)信息基(jī)础设施安(ān)全，是维护国家安全的(de)必要措施。中国坚定推进(jìn)高(gāo)水平对外(wài)开(kāi)放，只要遵(zūn)守中国法律法规要求，欢迎各(gè)国(guó)企业、各类(lèi)平(píng)台(tái)产品服务(wù)进入中国市场。

　　3月(yuè)31日，中国网信网发(fā)文称，为保障关键信息基础设(shè)施供应(yīng)链(liàn)安全(quán)，防范(fàn)产品问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患造(zào)成网络安全(quán)风险，维河粉和米饭哪个热量高，吃河粉和米饭哪个更容易胖护(hù)国(guó)家安全，依据《中华人民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华人(rén)民(mín)共和国网(wǎng)络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查办(bàn)法》，对美光(guāng)公司(sī)（Micron）在华销(xiāo)售(shòu)的(de)产(chǎn)品实施网络(luò)安(ān)全审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯片行(xíng)业龙头(tóu)，也是全球存储芯片巨头之一，2022年收入(rù)来自中国市场收入从此前高峰(fēng)57％降至2022年约(yuē)11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三(sān)星电(diàn)子、 铠侠、西(xī)部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市(shì)场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士(shì)、美光在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为 94.35％。

　　A股上市(shì)公(gōng)司(sī)中，江波龙、佰维存储(chǔ)等公司披露过美光等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美(měi)光在江波龙采购占比已经(jīng)显著下降，至少已经不是(shì)主要(yào)大(dà)供(gōng)应商(shāng)。

　　公告(gào)显(xiǎn)示(shì)， 2021年美光(guāng)位列江波龙第一大存储晶(jīng)圆供(gōng)应商，采购约31亿(yì)元，占比(bǐ)33.52％；2022年，江波龙(lóng)第(dì)一大、第二大(dà)和第三(sān)大(dà)供(gōng)应(yīng)商采(cǎi)购金额占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已(yǐ)经在存储产业(yè)链上下游建立国(guó)内外(wài)广泛(fàn)合作(zuò)。2022年年报显示，河粉和米饭哪个热量高，吃河粉和米饭哪个更容易胖江(jiāng)波龙与三星、美光、西部数据等主要存(cún)储晶圆原(yuán)厂签署了长(zhǎng)期合约(yuē)，确保存储晶圆(yuán)供(gōng)应的稳定性，巩固公司在下游市场的(de)供应(yīng)优势，公司也与(yǔ)国内(nèi)国产存储(chǔ)晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江(jiāng)存储、合肥长(zhǎng)鑫(xīn)保持良(liáng)好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析(xī)，如(rú)果美光(guāng)在(zài)中国区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客(kè)户转(zhuǎn)而采购国外三星、 SK海力(lì)士，国(guó)内长江存储、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存、长鑫的上(shàng)游设备厂或从中受益。存储器的(de)生产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另(lìng)外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到3维(wéi)的结构(gòu)转变使刻蚀和(hé)薄膜成(chéng)为最关键、最大量的加(jiā)工设备。3D NAND每层(céng)均(jūn)需(xū)要(yào)经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时刻蚀目(mù)前前沿要(yào)刻到(dào) 60：1的深孔，未来可能会(huì)更深的(de)孔或(huò)者沟槽，催生更多设备需求。据东京电子披(pī)露(lù)，薄膜沉(chén)积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支(zhī)合计(jì)为75％。自(zì)长江存储被加入美国(guó)限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加速，看好拓荆(jīng)科技(jì)（薄膜沉积(jī)）等相(xiāng)关公司份额提升，以及存储(chǔ)业务占比(bǐ)较高的华海清科（CMP）、盛美上海（清洗）等(děng)收入增长(zhǎng)。

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