大家好，来看一则突发消息。

　　美光公司(sī)在华(huá)销售的产品未通(tōng)过网络安全审(shěn)查

　　据网信办消息，日前(qián)，网络安全审查办公室依法对美光公司在华销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公(gōng)司产品存在(zài)较(jiào)严重(zhòng)网络(luò)安(ān)全(quán)问(wèn)题(tí)隐(yǐn)患，对我(wǒ)国关键信(xìn)息基础设施供应(yīng)链(liàn)造成重大安全风险，影响我国国(guó)家安全。为此(cǐ)，网络(luò)安(ān)全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予(yǔ)通过网络安(ān)全审查的(de)结论。按照《网(wǎng)络安全法》等法律法规，我(wǒ)国内(nèi)关键信息基础设(shè)施的运营者(zhě)应停止(zhǐ)采购美光公(gōng)司产品(pǐn)。

　　此次对美(měi)光公司产品(pǐn)孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗进行网络安(ān)全审查(chá)，目的是防范产(chǎn)品网络安全问(wèn)题(tí)危害国(guó)家关键信息基础设施安全，是维护国家安全的(de)必要措施(shī)。中国坚定推进(jìn)高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国(guó)法律(lǜ)法规要求，欢迎各国企业(yè)、各(gè)类平台产品服务进入中(zhōng)国(guó)市场。

　　3月31日，中(zhōng)国网信(xìn)网发文称(chēng)，为(wèi)保障关键信息基础设施供应链安全，防范(fàn)产品问题隐患造成网络安(ān)全风险，维护(hù)国家(jiā)安全，依据《中华人民共和国(guó)国(guó)家安全法(fǎ)》《中(zhōng)华人民共和国(guó)网络安全法》，网络安全审查办公室按照《网络安全审查(chá)办法》，对美光公(gōng)司（Micron）在华(huá)销(xiāo)售的产品实(shí)施网络安全审查。

　　美光是美国的(de)存(cún)储芯片行业(yè)龙(lóng)头，也(yě)是(shì)全球存储(chǔ)芯(xīn)片(piàn)巨(jù)头之一，2022年收入来自(zì)中国(guó)市场收(shōu)入从此(孙正义为什么是中国姓 孙正义有中国血统吗cǐ)前(qián)高(gāo)峰(fēng)57％降至2022年(nián)约11％。根据市场(chǎng)咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统(tǒng)计，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK 海(hǎi)力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球 DRAM （内存(cún)）市(shì)场份额约为 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维存储等(děng)公司披露过美光等国(guó)际存储厂商为公司供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江(jiāng)波龙采(cǎi)购占比已(yǐ)经显著下降，至少已经不是主要大供应(yīng)商。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位(wèi)列江波龙第一(yī)大存储晶圆供应商，采购约31亿元，占(zhàn)比(bǐ)33.52％；2022年，江(jiāng)波(bō)龙第一大、第二(èr)大和(hé)第(dì)三(sān)大供(gōng)应商(shāng)采(cǎi)购金(jīn)额(é)占比分别是26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前江波龙已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广(guǎng)泛(fàn)合作。2022年年报显示，江波(bō)龙(lóng)与三星、美(měi)光、西部数(shù)据等主要(yào)存储晶(jīng)圆(yuán)原厂签署了长期(qī)合约(yuē)，确(què)保存储晶圆供应的(de)稳定性(xìng)，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公(gōng)司也与国内国产存储晶(jīng)圆原厂武汉长江存储、合肥(féi)长鑫(xīn)保持良好的合(hé)作(zuò)。

　　有券商(shāng)此前(qián)就分(fēn)析(xī)，如果美光(guāng)在中国区销售受(shòu)到限制，或将导致(zhì)下游客户(hù)转(zhuǎn)而采(cǎi)购国外三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国内(nèi)长江存储、长鑫(xīn)存储等竞(jìng)对产品(pǐn)

　　分析称，长(zhǎng)存、长鑫的上游设备(bèi)厂或从中(zhōng)受益(yì)。存储(chǔ)器(qì)的生(shēng)产已经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺(yì)。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到(dào)3维的结构(gòu)转(zhuǎn)变使(shǐ)刻蚀和薄膜成为最(zuì)关键、最大量的加(jiā)工设备(bèi)。3D NAND每层均需要经过薄膜(mó)沉积工(gōng)艺(yì)步骤，同时刻蚀(shí)目前(qián)前沿要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔(kǒng)，未来(lái)可能会更深的孔或者沟槽，催生更多设备(bèi)需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及(jí)刻(kè)蚀占3D NAND产线资本开支合计为75％。自(zì)长江(jiāng)存储被加入美(měi)国(guó)限制名单(dān)，设备国产化进(jìn)程(chéng)加速，看(kàn)好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉积）等相关公司份额提升，以及存储业(yè)务(wù)占比较高的华海清科（CMP）、盛(shèng)美(měi)上海(hǎi)（清洗）等收入增长(zhǎng)。

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