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　　美光公司在(zài)华(huá)销售40kg是多少斤的产品未通过(guò)网络安全(quán)审查

　　据(jù)网(wǎng)信办消息(xī)，日(rì)前，网络安全(quán)审查办公室(shì)依法对美光公司(sī)在(zài)华(huá)销售产品进行了网络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光公(gōng)司产品存在较严重网(wǎng)络安全问题隐患，对我国关键(jiàn)信(xìn)息(xī)基础设施供应链造成重(zhòng)大安全风险，影响我国国家安全(quán)。为此，网络安全审查办公室依法(fǎ)作(zuò)出不予通过网络安全(quán)审(shěn)查(chá)的结论。按照《网络安全法》等(děng)法律法规，我国(guó)内关键信息基础设施的运营者应停止采购(gòu)美(měi)光公司(sī)产品(pǐn)。

　　此次对(duì)美(měi)光公司产(chǎn)品进行网络安全(quán)审(shěn)查，目的是防范产品网络安(ān)全问题危害国家关键信(xìn)息基础设施安全，是维(wéi)护(hù)国家安全的必要措施。中国坚定推进高水平对外开放，只要遵守(shǒu)中国法(fǎ)律法规(guī)要求，欢迎各国企(qǐ)业(yè)、各类平台40kg是多少斤(tái)产品服(fú)务进入中(zhōng)国市场。

　　3月(yuè)31日，中(zhōng)国(guó)网信网发文称，为保(bǎo)障关键信息基础(chǔ)设施供应链安全，防范产品问题隐(yǐn)患造成网络安全(quán)风险，维护国(guó)家(jiā)安(ān)全，依据《中华人民(mín)共和国国家安(ān)全法》40kg是多少斤《中(zhōng)华人民(mín)共(gòng)和国网络安全(quán)法》，网络安全审查办公室(shì)按照(zhào)《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美(měi)光公司（Micron）在(zài)华销售的产品实施网络安全审查(chá)。

　　美光(guāng)是美国的存储芯片行业龙头，也(yě)是全(quán)球(qiú)存储(chǔ)芯片巨头之(zhī)一，2022年(nián)收(shōu)入来自中国市(shì)场收入从此前高峰57％降至2022年约11％。根(gēn)据市(shì)场(chǎng)咨询机(jī)构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部(bù)数据、SK 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全(quán)球 NAND Flash （闪存）市场(chǎng)份额(é)约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光(guāng)在全球 DRAM （内(nèi)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公(gōng)司中，江(jiāng)波龙(lóng)、佰维存储等公司披露过美光等国际(jì)存储(chǔ)厂商为公司供(gōng)应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降(jiàng)，至(zhì)少已经(jīng)不是主要(yào)大供(gōng)应商。

　　公告显示(shì)， 2021年美光位(wèi)列(liè)江波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶(jīng)圆供(gōng)应商，采(cǎi)购约31亿元，占比33.52％；2022年(nián)，江波龙第一大(dà)、第二(èr)大和第三大供应商采购(gòu)金额占比分别是(shì)26.28％、22.85％和5.76％。

　　目前(qián)江波龙已经在存储产业链上下游建立国内外广(guǎng)泛合作(zuò)。2022年年(nián)报显(xiǎn)示(shì)，江波(bō)龙与三星、美光、西部数据等(děng)主要存储晶圆原厂签署(shǔ)了长期合约，确保存储晶圆供(gōng)应的稳(wěn)定性，巩固公司(sī)在下(xià)游市场(chǎng)的(de)供(gōng)应优(yōu)势，公(gōng)司也与国内国产存储晶圆原(yuán)厂武(wǔ)汉长江存储、合肥长鑫保持良好的合作。

　　有券商此(cǐ)前就分析(xī)，如果美光在中国区销售受到限制，或将导致下游客(kè)户转而采购国(guó)外三星、 SK海力(lì)士，国内长(zhǎng)江存储(chǔ)、长鑫(xīn)存(cún)储等竞(jìng)对(duì)产品

　　分析称，长存、长鑫的上游设备厂或从中受(shòu)益。存(cún)储器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至(zhì)1Znm的工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维(wéi)到(dào)3维(wéi)的结构转变使(shǐ)刻(kè)蚀和薄(báo)膜成(chéng)为最关键、最(zuì)大量的加工设备(bèi)。3D NAND每层均需(xū)要经(jīng)过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前(qián)前(qián)沿(yán)要刻到 60：1的深孔，未(wèi)来可能会更深的孔或者沟(gōu)槽，催生(shēng)更多设备需求。据(jù)东(dōng)京电子(zi)披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开(kāi)支合计为75％。自长(zhǎng)江存储被加入(rù)美(měi)国限制名单(dān)，设备国(guó)产化(huà)进(jìn)程加速，看好拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公司份额提升，以及存储业务占比较高的华海清科(kē)（CMP）、盛美上海（清洗(xǐ)）等收入增(zēng)长。

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